IMEC 非营利协会曾文德获国家专利权
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龙图腾网获悉IMEC 非营利协会申请的专利用于填充半导体中的空间的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113437024B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110301663.7，技术领域涉及：H10D84/01；该发明授权用于填充半导体中的空间的方法是由曾文德;李伟健;陶铮设计研发完成，并于2021-03-22向国家知识产权局提交的专利申请。
本用于填充半导体中的空间的方法在说明书摘要公布了：一种用于部分填充正在构造的半导体器件中的两个叠加结构之间的空间的方法，包括以下步骤：a.提供在其间具有所述空间的两个叠加结构，b.用热塑材料完全填充所述空间，c.移除存在于该空间中的热塑材料的第一部分，该第一部分包括该热塑材料的顶面的至少一部分，由此在所述空间中留下具有一高度的剩余热塑材料，以及d.加热该剩余光敏热塑材料以降低其高度。
本发明授权用于填充半导体中的空间的方法在权利要求书中公布了：1.一种用于部分填充正在构造的半导体器件中的两个叠加结构16、17之间的空间15的方法，包括以下步骤： a.提供在其间具有所述空间15的所述两个叠加结构16、17， b.用热塑材料14完全填充所述空间15， c.移除存在于所述空间15中的所述热塑材料14的第一部分18，所述第一部分18包括存在于所述空间15中的所述热塑材料14的顶面的至少一部分，由此在所述空间15中留下具有高度h的剩余热塑材料14，以及 d.加热所述剩余热塑材料14以降低其高度h。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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