索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司重歳卓志获国家专利权
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龙图腾网获悉索尼集团公司;索尼半导体解决方案公司申请的专利固体摄像元件、电子设备以及固体摄像元件的制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN113169205B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202080006865.2，技术领域涉及：H10F39/12；该发明授权固体摄像元件、电子设备以及固体摄像元件的制造方法是由重歳卓志;富樫秀晃;山元纯平;福冈慎平;竹尾萌枝;西田翔设计研发完成，并于2020-01-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本固体摄像元件、电子设备以及固体摄像元件的制造方法在说明书摘要公布了：此固体成像元件1包括一个以上光电转换层2、贯穿电极50和连接焊盘52。一个以上光电转换层2设置在半导体基板10的作为光入射面的一个主表面侧。贯穿电极50设置在像素区域中，并且具有连接至所述光电转换层2的一端。所述贯穿电极50从顶部到底部穿透所述半导体基板10，并且将通过由所述光电转换层2进行的光电转换获得的电荷传输至所述半导体基板10的另一主表面侧。所述连接焊盘52设置在与设置于所述半导体基板10的所述另一主表面侧的晶体管AMP、RST、TG1、TG2的栅极Ga、Gr、G1和G2相同的层上，并且所述贯穿电极50的另一端连接至所述连接焊盘。
本发明授权固体摄像元件、电子设备以及固体摄像元件的制造方法在权利要求书中公布了：1.一种固体摄像元件，包括： 一个以上光电转换层，设置在半导体基板的作为光入射面的一个主表面侧； 贯穿电极，其设置在像素区域中，所述贯穿电极的一端连接至所述光电转换层且贯穿所述半导体基板的前表面和后表面，并且用于将由所述光电转换层光电转换的电荷传输至所述半导体基板的另一主表面侧；以及 连接焊盘，其设置在与设置于所述半导体基板的所述另一主表面侧的放大晶体管的栅极相同的层上，并与所述放大晶体管的栅极具有间隔，并且所述贯穿电极的另一端连接至所述连接焊盘。
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