三星电子株式会社李玟洙获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利三维半导体器件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992904B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011460967.X，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权三维半导体器件是由李玟洙;李基硕;宋珉宇;吴贤实;赵珉熙设计研发完成，并于2020-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本三维半导体器件在说明书摘要公布了：一种三维半导体器件，包括：第一沟道图案，其位于衬底上并与衬底间隔开，第一沟道图案具有第一端和第二端以及在第一端与第二端之间连接的第一侧壁和第二侧壁，第一端和第二端在与衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开，第一侧壁和第二侧壁在与衬底的顶表面平行的第二方向上彼此间隔开，第二方向与第一方向相交；位线，其与第一沟道图案的第一端接触，位线在与衬底的顶表面垂直的第三方向上延伸；以及第一栅电极，其与第一沟道图案的第一侧壁相邻。
本发明授权三维半导体器件在权利要求书中公布了：1.一种三维半导体器件，包括： 第一沟道图案，其位于衬底上并与所述衬底间隔开，所述第一沟道图案包括： 在与所述衬底的顶表面平行的第一方向上彼此间隔开的第一端和第二端，以及 在所述第一端与所述第二端之间连接的第一侧壁和第二侧壁，所述第一侧壁和所述第二侧壁在与所述衬底的顶表面平行的第二方向上彼此间隔开，所述第二方向与所述第一方向相交； 第一位线和第二位线，所述第一位线与所述第一沟道图案的第一端接触，所述第一位线和所述第二位线在与所述衬底的顶表面垂直的第三方向上延伸并且在所述第二方向上彼此间隔开；以及 第一栅电极，其与所述第一沟道图案的第一侧壁相邻， 其中，所述第一位线包括： 位线线部，其与所述衬底的顶表面垂直；以及 位线突起，其从所述位线线部的侧壁在所述第一方向上突出，并且与所述第一沟道图案的第一端接触。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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