三星电子株式会社尹俊浩获国家专利权
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龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利基板切割方法和制造半导体器件的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112838053B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011094982.7，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权基板切割方法和制造半导体器件的方法是由尹俊浩;李贞彻;裵秉文;慎政槿;沈贤洙设计研发完成，并于2020-10-14向国家知识产权局提交的专利申请。
本基板切割方法和制造半导体器件的方法在说明书摘要公布了：提供了一种基板切割方法和一种制造半导体器件的方法。该基板切割方法可以包括：使用激光束在基板中形成改性图案；研磨基板的底表面以减薄基板；以及伸展基板以将基板分割成多个半导体芯片。改性图案的形成可以包括在基板中形成第一改性图案以及将边缘聚焦光束提供到与第一改性图案交叉的区域以形成与第一改性图案接触的第二改性图案。
本发明授权基板切割方法和制造半导体器件的方法在权利要求书中公布了：1.一种基板切割方法，包括： 通过使用激光束在基板的划片槽中形成改性图案，所述划片槽在第一方向和与所述第一方向交叉的第二方向上延伸，形成所述改性图案包括：通过沿所述划片槽的在所述第一方向上的部分断续地提供中心聚焦光束在所述基板内在第一深度形成多个第一改性图案，以及通过沿所述划片槽的在所述第二方向上的另一部分断续地提供边缘聚焦光束在所述基板内在与所述第一深度相同的第二深度形成多个第二改性图案，其中所述多个第一改性图案具有规则的第一间隔、由所述第一方向和所述第二方向限定的第一平面内的第一圆形形状、以及在与所述第一方向和所述第二方向交叉的第三方向上的第一椭球形状，其中所述多个第二改性图案具有规则的第二间隔、所述第一平面内的与所述第一圆形形状相同的第二圆形形状、以及在所述第三方向上的与所述第一椭球形状相同的第二椭球形状， 其中在所述第一方向与所述第二方向相交的位置处所述第二改性图案与所述第一改性图案接触； 研磨所述基板的底表面以减薄所述基板；以及 伸展所述基板以将所述基板分割成多个管芯， 其中所述边缘聚焦光束的焦点在所述基板内。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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