买专利卖专利找龙图腾，真高效！ 查专利查商标用IPTOP,全免费！专利年费监控用IP管家,真方便！

龙图腾网获悉三星电子株式会社申请的专利制造半导体芯片的方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN110890325B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-23发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：201910726168.3，技术领域涉及：H01L21/78；该发明授权制造半导体芯片的方法是由裴秉文;金润圣;金尹熙;沈贤洙;尹俊浩;崔仲浩设计研发完成，并于2019-08-07向国家知识产权局提交的专利申请。

本制造半导体芯片的方法在说明书摘要公布了：提供了制造半导体芯片的方法。所述方法可以包括提供包括集成电路区域和切割区域的半导体衬底。所述切割区域可以在所述集成电路区域之间。所述方法还可以包括通过沿着所述切割区域将激光束发射到所述半导体衬底中来形成改性层，抛光所述半导体衬底的无源表面以使裂缝从改性层传播，以及沿着所述裂缝分离集成电路区域。所述切割区域可以包括在所述半导体衬底的有源表面上的多个多层金属图案，半导体衬底的有源表面与半导体衬底的无源表面相对。当在横截面中观察时，所述多个多层金属图案可以形成金字塔结构。

本发明授权制造半导体芯片的方法在权利要求书中公布了：1.一种制造半导体芯片的方法，所述方法包括： 提供包括集成电路区域和切割区域的半导体衬底，所述切割区域在所述集成电路区域之间； 通过沿着所述切割区域将激光束发射到所述半导体衬底中来形成改性层； 抛光所述半导体衬底的无源表面以使裂缝从所述改性层传播；以及 沿着所述裂缝分离所述集成电路区域， 其中，所述切割区域包括： 在所述半导体衬底的有源表面上的多个多层金属图案，所述半导体衬底的所述有源表面与所述半导体衬底的所述无源表面相对，其中，所述多个多层金属图案包括位于第一水平处的第一金属图案、位于第二水平处的第二金属图案、以及接触所述第一金属图案和所述第二金属图案二者的过孔，并且所述第一水平在所述第二水平与所述半导体衬底的所述有源表面之间， 顺序地堆叠在所述半导体衬底的所述有源表面上的第一绝缘膜和第二绝缘膜，其中，所述第一金属图案在所述第一绝缘膜中，并且所述第二金属图案在所述第二绝缘膜中；以及 材料膜，其在所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜之间，其中，所述材料膜包括与所述第一绝缘膜和所述第二绝缘膜不同的材料，并且所述过孔延伸穿过所述材料膜，并且 其中，当在横截面中观察时，所述多个多层金属图案形成金字塔结构。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人三星电子株式会社，其通讯地址为：韩国京畿道；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。