台湾积体电路制造股份有限公司范峻胜获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利具有凹陷部分的重分布层结构的封装结构及半导体封装获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223693132U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422668158.8，技术领域涉及：H01L23/64；该实用新型具有凹陷部分的重分布层结构的封装结构及半导体封装是由范峻胜;林大玄;曾华伟;吴伟诚设计研发完成，并于2024-11-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本具有凹陷部分的重分布层结构的封装结构及半导体封装在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种具有凹陷部分的重分布层结构的封装结构及半导体封装。所述封装结构包括：前侧重分布层RDL结构，包括凹陷部分；下封装体层，位在前侧RDL结构上并且包括被配置为将前侧RDL结构电耦合至上封装的多个穿孔；第一半导体管芯，位在前侧RDL结构上和下封装体层中，以及集成无源装置IPD，其连接到凹陷部分中的前侧RDL结构并且电耦合到第一半导体管芯。本实用新型可以缩小底胶禁止区的尺寸。
本实用新型具有凹陷部分的重分布层结构的封装结构及半导体封装在权利要求书中公布了：1.一种封装结构，其特征在于，包括： 前侧重分布层结构，包括凹陷部分； 下封装体层，位在所述前侧重分布层结构上，并包括被配置为将所述前侧重分布层结构电耦合到上封装的多个穿孔； 第一半导体管芯，位在所述前侧重分布层结构上且位在所述下封装体层中；以及 集成无源装置，连接到所述凹陷部分中的所述前侧重分布层结构并且电耦合到所述第一半导体管芯。
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