武汉安湃光电有限公司陶诗琦获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉安湃光电有限公司申请的专利薄膜钽酸锂大模斑端面耦合器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223692544U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520371792.7，技术领域涉及：G02B6/122；该实用新型薄膜钽酸锂大模斑端面耦合器是由陶诗琦;袁帅;孙昊骋设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本薄膜钽酸锂大模斑端面耦合器在说明书摘要公布了：本实用新型属于光电子集成技术领域，尤其涉及薄膜钽酸锂大模斑端面耦合器，包括自下至上依次设置的：衬底支撑层，用于支撑芯片；介质层；薄膜钽酸锂波导芯层，所述薄膜钽酸锂波导芯层包括位于下方的脊转条层和位于上方的波导层；波导上包层；沿所述薄膜钽酸锂大模斑端面耦合器由右至左依次划分为顺序连接的：三平行窄波导区、变间距三窄波导区、脊转条过渡波导区、脊转条波导耦合波导区和薄膜钽酸锂波导区。
本实用新型薄膜钽酸锂大模斑端面耦合器在权利要求书中公布了：1.薄膜钽酸锂大模斑端面耦合器，其特征在于，包括自下至上依次设置的： 衬底支撑层，用于支撑芯片； 介质层； 薄膜钽酸锂波导芯层，所述薄膜钽酸锂波导芯层包括位于下方的脊转条层和位于上方的波导层； 波导上包层； 沿所述薄膜钽酸锂大模斑端面耦合器由右至左依次划分为顺序连接的： 三平行窄波导区、变间距三窄波导区、脊转条过渡波导区、脊转条波导耦合波导区和薄膜钽酸锂波导区。
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