成都信息工程大学赵远获国家专利权
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龙图腾网获悉成都信息工程大学申请的专利一种具有高电场抑制比的磁场探头获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223692448U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423079915.4，技术领域涉及：G01R29/08；该实用新型一种具有高电场抑制比的磁场探头是由赵远;张森;王俊杰;孙筱枫;杜国宏设计研发完成，并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种具有高电场抑制比的磁场探头在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种具有高电场抑制比的磁场探头，属于磁场探头技术领域。本实用新型解决了如何提供一种结构简单，电场抑制比良好，平坦度较低，具有良好的探测性能的磁场探头的问题。本实用新型包括介质基板层，介质基板层的顶面和底面分别设置有第一金属层和第二金属层，介质基板层、第一金属层和第二金属层上相同位置处均设置有过孔，第一金属层为带状结构，且第一金属层由开口环形部和直形部组成，第一金属层上的过孔设置于开口环形部，所述第二金属层上靠近过孔处设置有与环形部相对应的开孔。本实用新型工作频率范围宽，能够在实际应用中覆盖较广的频率范围，为检测不同频率的磁场信号提供了可能。
本实用新型一种具有高电场抑制比的磁场探头在权利要求书中公布了：1.一种具有高电场抑制比的磁场探头，其特征在于：包括介质基板层2，所述介质基板层2的顶面和底面分别设置有第一金属层1和第二金属层3，所述介质基板层2、第一金属层1和第二金属层3上相同位置处均设置有过孔5，所述第一金属层1为带状结构，且所述第一金属层1由开口环形部102和直形部101组成，第一金属层1上的过孔5设置于开口环形部102，所述第二金属层3上靠近过孔5处设置有与环形部102相对应的开孔4。
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