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龙图腾网获悉深圳市汇春科技股份有限公司申请的专利异步RAM读写方法、装置、终端设备和可读存储介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112992220B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202110393708.8，技术领域涉及：G11C11/409；该发明授权异步RAM读写方法、装置、终端设备和可读存储介质是由尚军辉;李卓文;庄腾飞设计研发完成，并于2021-04-13向国家知识产权局提交的专利申请。

本异步RAM读写方法、装置、终端设备和可读存储介质在说明书摘要公布了：本发明实施例公开了一种异步RAM读写方法、装置、终端设备和可读存储介质。可使得异步RAM在不同读写频率下可以保证：在0≤所述当前时刻的写地址‑所述当前时刻的读地址＜第一阈值，且异步RAM的写满标记表示未写满的情况下，暂停异步RAM的读操作即保证读指针Rdr位置不变，保持异步RAM的写操作正常即写指针Wdr正常移动，保证数据正常写入数据为空的地址中，并拉大写指针Wdr和读指针Rdr之间的距离，避免出现读写冲突，进而使得异步RAM可以稳定读写数据，从而保证存储过程的稳定性。

本发明授权异步RAM读写方法、装置、终端设备和可读存储介质在权利要求书中公布了：1.一种异步RAM读写方法，其特征在于，所述方法包括： 获取读时域上的当前时刻的读地址和写时域上的当前时刻的写地址； 将当前时刻的读地址和当前时刻的写地址同步到同一个时域上； 在同一个时域上，若0≤所述当前时刻的写地址-所述当前时刻的读地址＜第一阈值，且异步RAM的写满标记表示未写满，则暂停异步RAM的读操作，保持异步RAM的写操作正常；其中，在写指针指向所述异步RAM最大地址时，所述异步RAM的写满标记表示写满；在读指针指向所述异步RAM的最大地址时，所述异步RAM的写满标记表示未写满； 在同一个时域上，若第二阈值＜所述当前时刻的写地址-所述当前时刻的读地址≤0，且异步RAM的写满标记表示写满，则暂停异步RAM的写操作，保持异步RAM的读操作正常； 在同一个时域上，若所述当前时刻的写地址-所述当前时刻的读地址≥所述第一阈值，且异步RAM的写满标记表示未写满，则保持异步RAM的写操作和读操作正常； 在同一个时域上，若所述当前时刻的写地址-所述当前时刻的读地址≤所述第二阈值，且异步RAM的写满标记表示写满，保持异步RAM的写操作和读操作正常。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人深圳市汇春科技股份有限公司，其通讯地址为：518100 广东省深圳市龙岗区布吉街道白鸽笼华美工业区综合楼二楼西边；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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