赛奥科思有限公司;住友化学株式会社藤仓序章获国家专利权
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龙图腾网获悉赛奥科思有限公司;住友化学株式会社申请的专利III族氮化物层叠基板和半导体元件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN112838148B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-19发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202011302621.7，技术领域涉及：H10H20/812；该发明授权III族氮化物层叠基板和半导体元件是由藤仓序章;今野泰一郎;木村健司设计研发完成，并于2020-11-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本III族氮化物层叠基板和半导体元件在说明书摘要公布了：本发明涉及III族氮化物层叠基板和半导体元件。提供能够提高形成在基底基板上的GaN层的品质的技术。一种III族氮化物层叠基板，其具有：基底基板；第一层，其形成在基底基板上且由氮化铝构成；以及第二层，其形成在第一层上且由氮化镓构成，第二层的厚度为10μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的0002衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的10‑12衍射的半值宽度为200秒以下。
本发明授权III族氮化物层叠基板和半导体元件在权利要求书中公布了：1.一种III族氮化物层叠基板，其具有： 基底基板； 第一层，其形成在所述基底基板上且由氮化铝组成；以及 第二层，其形成在所述第一层上且由氮化镓构成， 所述第二层的厚度为10μm以下，基于X射线摇摆曲线测定的0002衍射的半值宽度为100秒以下，基于X射线摇摆曲线测定的10-12衍射的半值宽度为200秒以下， 所述第一层的表面为Al极性，所述表面与第二层接触， 所述第一层的厚度为0.1μm以上， 所述第一层的0002面的X射线摇摆曲线的半值宽度为100秒以下，10-12面的X射线摇摆曲线的半值宽度为300秒以下。
如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人赛奥科思有限公司;住友化学株式会社，其通讯地址为：日本茨城县；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。
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