台积电(南京)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司季宝荣获国家专利权
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龙图腾网获悉台积电(南京)有限公司;台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利集成电路结构获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223681431U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423084524.1,技术领域涉及:H10D84/83;该实用新型集成电路结构是由季宝荣;朱健;王昭瑞设计研发完成,并于2024-12-13向国家知识产权局提交的专利申请。
本集成电路结构在说明书摘要公布了:集成电路结构包括浅沟槽隔离区域、第一栅极结构及第二栅极结构。浅沟槽隔离区域与半导体基板中的主动区域相邻。第一栅极结构位于主动区域上方。第一栅极结构包括高k栅极介电层及位于高k栅极介电层上方的栅极金属层。第二栅极结构位于浅沟槽隔离区域上方。在沿垂直于第二栅极结构的纵轴的第一方向截取的剖面图中,第二栅极结构包括与浅沟槽隔离区域接触的栅极金属层。
本实用新型集成电路结构在权利要求书中公布了:1.一种集成电路结构,其特征在于,包含: 一浅沟槽隔离区域,与一半导体基板中的一主动区域相邻; 一第一栅极结构,位于该主动区域上方,该第一栅极结构包含一高k栅极介电层及位于该高k栅极介电层上方的一栅极金属层;及 一第二栅极结构,位于该浅沟槽隔离区域上方,其中在沿垂直于该第二栅极结构的一纵轴的一第一方向截取的一剖面图中,该第二栅极结构包含与该浅沟槽隔离区域接触的一栅极金属层。
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