广东纽航电子科技有限公司燕云峰获国家专利权
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龙图腾网获悉广东纽航电子科技有限公司申请的专利一种高静电场效应管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223681430U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423056684.5，技术领域涉及：H10D64/27；该实用新型一种高静电场效应管是由燕云峰;李小芹;李小红;王小磊;肖贵明;赵丽祯;刘兴杨;肖兵;李小春;燕奥杰;燕韵寒设计研发完成，并于2024-12-11向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高静电场效应管在说明书摘要公布了：本申请涉及半导体器件的技术领域，尤其涉及一种高静电场效应管，其包括半导体衬底，所述半导体衬底上设置有源极、漏极，所述源极和漏极处于所述半导体衬底的不同位置，所述源极与所述漏极之间设置有栅极，所述栅极与所述半导体衬底之间设置有多层栅极氧化层，通过所述多层栅极氧化层将所述栅极与所述半导体衬底隔离，所述多层栅极氧化层包括至少两层氧化层，且由远离所述半导体衬底的所述氧化层为起始层，每层所述氧化层的厚度逐层增大，其中至少一层氧化层具有较高的击穿电压和较低的泄漏电流特性，本申请抗静电能力抗静电能力强。
本实用新型一种高静电场效应管在权利要求书中公布了：1.一种高静电场效应管，其特征在于：包括半导体衬底，所述半导体衬底上设置有源极、漏极，所述源极和漏极处于所述半导体衬底的不同位置，所述源极与所述漏极之间设置有栅极，所述栅极与所述半导体衬底之间设置有多层栅极氧化层，通过所述多层栅极氧化层将所述栅极与所述半导体衬底隔离，所述多层栅极氧化层包括至少两层氧化层，且由远离所述半导体衬底的所述氧化呈为起始层，每层所述氧化层的厚度逐层增大，其中至少一层氧化层具有较高的击穿电压和较低的泄漏电流特性。
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