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龙图腾网获悉杭州立昂微电子股份有限公司申请的专利一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223681429U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423192730.4，技术领域涉及：H10D8/60；该实用新型一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管是由刘伟设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管，该二极管由下至上包括阴极金属层、衬底，外延层、功能金属层及阳极金属层，外延层中分布台阶状沟槽，该沟槽由上下两个柱形开口构成、且上柱形开口小、下柱形开口大，沟槽内为导电多晶硅，介质层将导电多晶硅与外延层、肖特基势垒区和阳极电极区进行隔离，沟槽底部外延层中还含有离子注入区。本实用新型的沟槽，上柱形小开口增大了正向导通时可导电面积，降低了正向导通电流密度，减小了正向导通压降，改善正向导通性能；下柱形开口大，避免了器件反向偏置时尖端放电效应，改善器件反向阻断性能及器件可靠性和寿命。

本实用新型一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管在权利要求书中公布了：1.一种台阶状沟槽肖特基势垒二极管，其特征在于，所述肖特基势垒二极管包括： 第一导电类型重掺杂的半导体衬底； 位于所述衬底上表面的、第一导电类型轻掺杂的半导体外延层； 位于所述外延层中、开口于所述外延层上表面并向所述外延层内延伸的一系列周期排布的台阶状沟槽；其中，相邻所述沟槽之间的外延层形成台面结构； 填充于沟槽内的第一导电类型重掺杂的导电多晶硅； 位于所述沟槽的内壁且用以隔离所述导电多晶硅与所述外延层的第一隔离介质层； 覆盖所述台面结构区的外延层上表面的肖特基势垒金属层； 覆盖所述导电多晶硅上表面的欧姆接触金属层； 由所述第一隔离介质层向上延伸形成、并隔离所述肖特基势垒金属层和所述欧姆接触金属层的第二隔离介质层； 覆盖所述肖特基势垒二极管上表面的阳极金属层； 以及位于所述衬底下表面的阴极金属层，所述衬底下表面与所述阴极金属层形成欧姆接触； 其中，所述台阶状沟槽为上下连通的两个柱形开口构成、且上柱形开口的横向开口尺寸小于下柱形开口的横向开口尺寸，两者连通处形成台阶状。

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