吉光半导体科技有限公司汪丽杰获国家专利权
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龙图腾网获悉吉光半导体科技有限公司申请的专利片上串联型边发射半导体激光器阵列获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223680569U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423311890.6，技术领域涉及：H01S5/042；该实用新型片上串联型边发射半导体激光器阵列是由汪丽杰;佟存柱;刘亚楠;郭英俊;彭航宇设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本片上串联型边发射半导体激光器阵列在说明书摘要公布了：本申请涉及激光技术领域，尤其涉及一种片上串联型边发射半导体激光器阵列。片上串联型边发射半导体激光器阵列从下至上依次包括半绝缘衬底、非掺杂缓冲层、P型重掺杂层、P型隧道结层、N型隧道结层、N型包层、N型波导层、有源区、P型波导层、P型包层和P型盖层；每个发光单元的两侧台面深刻蚀到P型重掺杂层，任意相邻的两个发光单元的底部之间具有侧向电流扩散抑制槽。采用片上串联型边发射半导体激光器阵列结构，通过共面电极设计降低寄生效应，并且上下电极可通过单次工艺制备以降低成本，发光单元之间设置有侧向电流扩散抑制槽可降低串扰，各个发光单元在相同注入电流下串联工作，可有效降低驱动电路要求和提高发光均匀性。
本实用新型片上串联型边发射半导体激光器阵列在权利要求书中公布了：1.一种片上串联型边发射半导体激光器阵列，其特征在于，从下至上依次包括半绝缘衬底、非掺杂缓冲层、P型重掺杂层、P型隧道结层、N型隧道结层、N型包层、N型波导层、有源区、P型波导层、P型包层和P型盖层， 所述激光器阵列具有多个发光单元，每个所述发光单元的两侧台面深刻蚀到P型重掺杂层，每个所述发光单元的上电极和下电极为单次工艺制备，任意相邻的两个所述发光单元的底部之间具有侧向电流扩散抑制槽。
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