杭州灵芯微电子有限公司董鑫钰获国家专利权
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龙图腾网获悉杭州灵芯微电子有限公司申请的专利一种基于ITO的宽带超材料吸波器单元及设备获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223680404U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202520249326.1，技术领域涉及：H01Q17/00；该实用新型一种基于ITO的宽带超材料吸波器单元及设备是由董鑫钰设计研发完成，并于2025-02-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于ITO的宽带超材料吸波器单元及设备在说明书摘要公布了：本实用新型提供的一种基于ITO的宽带超材料吸波器单元及设备，单元包括自上而下依次设置的第一ITO导电膜层、第一PET导电膜层、第一中间介质板层、第二ITO导电膜层、第二PET导电膜层、第二中间介质板层和金属层；ITO导电膜层的形状为正方形，第一ITO导电膜层具有一个十字型通孔一和四个直线型通孔三，十字型通孔一贯穿第一ITO导电膜层四个侧边，四个直线型通孔三一一对应的位于正方形二的四条边上，每个直线型通孔三都能够贯穿正方形一的两条相邻的边，直线型通孔三和ITO导电膜层的边呈45°夹角；第二ITO导电膜层上具有覆盖第二ITO导电膜层的对角线的十字型通孔二。本实用新型兼顾了宽带吸波和结构轻薄。
本实用新型一种基于ITO的宽带超材料吸波器单元及设备在权利要求书中公布了：1.一种基于ITO的宽带超材料吸波器单元，其特征在于，包括自上而下依次设置的第一ITO导电膜层、第一PET导电膜层、第一中间介质板层、第二ITO导电膜层、第二PET导电膜层、第二中间介质板层和金属层；所述第一ITO导电膜层的形状为边长为b的正方形一，第一ITO导电膜层具有一个十字型通孔一和四个直线型通孔三，所述十字型通孔一贯穿正方形一的四条边的中点；四个直线型通孔三一一对应的位于正方形二的四条边上，直线型通孔三和正方形一的边的夹角为45°，四个直线型通孔的长度相同且小于2b2，直线型通孔三长度方向的两端均贯穿正方形一的边；所述第二ITO导电膜层的形状为正方形三，第二ITO导电膜层上具有能够贯穿正方形三四个角的十字型通孔二。
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