台湾积体电路制造股份有限公司林瑀宏获国家专利权
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龙图腾网获悉台湾积体电路制造股份有限公司申请的专利半导体装置获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223680123U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202322844865.3，技术领域涉及：H01L23/528；该实用新型半导体装置是由林瑀宏;王伟民;贾汉中;陈承;余国宠;戴世芃设计研发完成，并于2023-10-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体装置在说明书摘要公布了：本公开涉及一种半导体装置。使用埋置于第一半导体装置的接合介电层内的接合接触垫，以及使用埋置于第二半导体装置的接合介电层内的至少一接合导孔，将第一半导体装置及第二半导体装置接合在一起。接合接触垫在垂直于第一半导体装置的主表面的第一方向上延伸第一尺寸，且在平行于第一半导体晶圆的平面的第二方向上延伸第二尺寸。第二尺寸是第一尺寸的至少两倍。接合导孔在第一方向上延伸第三尺寸，且在第二方向上延伸第四尺寸。第三尺寸是第一尺寸的至少两倍。可将接合接触垫及接合导孔至少部分埋置于相应堆叠互连层的相应最顶部介电层的相应接合介电层中。
本实用新型半导体装置在权利要求书中公布了：1.一种半导体装置，其特征在于，包括： 一第一半导体芯片，具有形成于该第一半导体芯片上的多个第一主动组件； 一第一互连结构，位于所述多个第一主动组件上，该第一互连结构包括一导电孔及一接合接触垫，该接合接触垫至少部分埋置于一第一接合介电层中，该接合接触垫在平行于该第一半导体芯片的主平面的方向上具有一第一长度，且在垂直于该第一半导体芯片的主平面的方向上具有一第二长度，其中该第一长度超过该第二长度； 一第二半导体芯片，具有形成于该第二半导体芯片上的一第二互连结构，该第二互连结构包括埋置于相应的多个第二介电层中的多个第二金属线的多个叠层，且该第二半导体芯片包括至少部分埋置于一第二接合介电层中的一接合导孔，该接合导孔在垂直于该第一半导体芯片的主平面的方向上具有一第三长度，且在平行于该第一半导体芯片的主平面的方向上具有一第四长度，其中该第三长度超过该第四长度； 该接合接触垫的一主表面，接合至该接合导孔的一主表面；以及 该第一接合介电层的一主表面，接合至第二接合介电层的一主表面。
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