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龙图腾网获悉浙江禾芯集成电路有限公司申请的专利一种低压降大电流芯片封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223680121U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423142967.1，技术领域涉及：H01L23/498；该实用新型一种低压降大电流芯片封装结构是由张黎;郭洪岩;毕金栋;崔献威;张海涛设计研发完成，并于2024-12-19向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低压降大电流芯片封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种低压降大电流芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括芯片单体100、蚀刻框架300、厚铜再布线金属层200和塑封料层400，所述厚铜再布线金属层200设置在所述芯片单体正面101，并全覆盖芯片单体正面101，通过金属凸块130与所述蚀刻框架正面301的基岛310和引脚330固连；其塑封料层400仅露出芯片单体背面103和蚀刻框架背面303。本实用新型专利设计厚铜再布线金属层和使用蚀刻框架替代ETS基板，极大地增加了电流的通流能力，同时优化了压降。

本实用新型一种低压降大电流芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种低压降大电流芯片封装结构，其包括芯片单体100，所述芯片单体100包括芯片单体正面101和相对的芯片单体背面103，所述芯片单体正面101设有芯片焊盘，其特征在于，其还包括蚀刻框架300和厚铜再布线金属层200，所述厚铜再布线金属层200包括若干层金属层210和嵌于金属层210之间的介质层230，所述金属层210的每层厚度为三层以上电镀金属层厚度的叠加； 所述厚铜再布线金属层200设置在所述芯片单体正面101，并全覆盖芯片单体正面101，所述厚铜再布线金属层200的一面与芯片单体100的芯片焊盘实现电性连接，所述厚铜再布线金属层200的另一面设置若干个IO接口，所述IO接口设置金属凸块130； 所述蚀刻框架300包括蚀刻框架正面301和相对的蚀刻框架背面303，所述金属凸块130通过焊料分别与所述蚀刻框架正面301的基岛310和引脚330固连； 还包括塑封料，所述塑封料将芯片单体100、蚀刻框架300和厚铜再布线金属层200整体塑封形成塑封料层400，所述塑封料层400仅露出芯片单体背面103和蚀刻框架背面303。

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