长电微电子(江阴)有限公司王孙艳获国家专利权
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龙图腾网获悉长电微电子(江阴)有限公司申请的专利芯片封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223680115U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423016809.1，技术领域涉及：H01L23/48；该实用新型芯片封装结构是由王孙艳设计研发完成，并于2024-12-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种芯片封装结构。芯片封装结构包括：基底；芯片堆叠结构，位于基底表面，包括依次堆叠的多层芯片；芯片包括上、下表面，芯片内形成有贯穿芯片的多个硅通孔，芯片堆叠结构最上层芯片与基底之间的芯片的上表面形成有多个与硅通孔电连接的支撑块，所有芯片的下表面形成有与硅通孔电连接的第一、第二焊料凸块，在芯片堆叠的方向上，第二焊料凸块的尺寸小于第一焊料凸块的尺寸；芯片的支撑块与相邻的上层芯片的第二焊料凸块相接触，芯片的第二焊料凸块与相邻的下层芯片的支撑块相接触。上述技术方案支撑块和第二焊料凸块所组成的支撑结构能够在热压结合工序中为尺寸较大的第一焊料凸块提供较好的支撑力，避免第一焊料凸块过度形变。
本实用新型芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括： 基底； 芯片堆叠结构，位于所述基底表面，包括依次堆叠的多层芯片； 所述芯片包括上表面及下表面，所述芯片内形成有贯穿所述芯片的多个硅通孔，所述芯片堆叠结构最上层芯片与所述基底之间的所述芯片的上表面形成有多个与所述硅通孔电连接的支撑块，所有所述芯片的下表面形成有与所述硅通孔电连接的第一焊料凸块及第二焊料凸块，在所述芯片堆叠的方向上，所述第二焊料凸块的尺寸小于所述第一焊料凸块的尺寸； 所述芯片的支撑块与相邻的上层所述芯片的第二焊料凸块相接触，所述芯片的第二焊料凸块与相邻的下层所述芯片的支撑块相接触。
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