长电微电子(江阴)有限公司王孙艳获国家专利权
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龙图腾网获悉长电微电子(江阴)有限公司申请的专利芯片封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223680109U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423029843.2，技术领域涉及：H01L23/367；该实用新型芯片封装结构是由王孙艳设计研发完成，并于2024-12-09向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型提供一种芯片封装结构。芯片封装结构包括：基底；芯片堆叠结构，位于基底表面，包括依次堆叠的多层芯片；芯片包括上表面及下表面，上表面及下表面均包括散热区和焊接区，芯片堆叠结构最上层芯片与基底之间的芯片的上表面的散热区设置有第一散热层、所有芯片的下表面的散热区设置有第二散热层，芯片内设置有多个贯穿芯片的硅通孔，散热区的硅通孔连接至第一散热层及第二散热层；第二散热层表面设置有散热胶，且散热胶与相邻芯片的第一散热层相接触；下表面的焊接区设置有焊球。上述技术方案通过在芯片表面设置散热层及散热胶，并通过散热区的硅通孔形成连接，将底层芯片的热量传递至上层芯片进而传导至外界，提高芯片的热可靠性。
本实用新型芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种芯片封装结构，其特征在于，包括： 基底； 芯片堆叠结构，位于所述基底表面，包括依次堆叠的多层芯片； 所述芯片包括上表面及下表面，所述上表面及下表面均包括散热区和焊接区，所述芯片堆叠结构最上层芯片与所述基底之间的所述芯片的上表面的散热区设置有第一散热层、所有所述芯片的下表面的散热区设置有第二散热层，所述芯片内设置有多个贯穿所述芯片的硅通孔，所述散热区的所述硅通孔连接至所述第一散热层及所述第二散热层； 所述第二散热层表面设置有散热胶，且所述散热胶与相邻所述芯片的第一散热层相接触； 所述下表面的焊接区设置有焊球。
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