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龙图腾网获悉浙江禾芯集成电路有限公司申请的专利一种LSI芯片封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223680104U 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423296376.X，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型一种LSI芯片封装结构是由张黎;郭洪岩;张宇锋;龚嘉明设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种LSI芯片封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型公开了一种LSI芯片封装结构，属于半导体封装技术领域。其包括偶数个LSI芯片本体101、低密度金属柱群210、高密度金属柱群230、第一再布线金属层510和第二再布线金属层530；所述低密度金属柱群210设置在LSI芯片本体101的外侧区域，所述高密度金属柱群230设置在相邻两个LSI芯片本体101的内侧区域，并形成塑封体301；所述塑封体301的正面和背面均被平行减薄，并分别设置第一再布线金属层510和第二再布线金属层530。本实用新型的LSI芯片封装结构提供了多种金属柱结构密度集于一体的设计结构，满足产品多方位的设计需求。

本实用新型一种LSI芯片封装结构在权利要求书中公布了：1.一种LSI芯片封装结构，其包括偶数个LSI芯片本体101，所述LSI芯片本体101包括LSI芯片本体正面110和与其相对的LSI芯片本体背面130，所述LSI芯片本体正面110设置LSI芯片下金属柱121； 其特征在于，其还包括低密度金属柱群210、高密度金属柱群230、第一再布线金属层510和第二再布线金属层530； 所述低密度金属柱群210设置在LSI芯片本体101的外侧区域，低密度金属柱群210由若干个第一金属柱组成，呈阵列分布，且分别与LSI芯片下金属柱121平行； 所述高密度金属柱群230设置在相邻两个LSI芯片本体101的内侧区域，高密度金属柱群230由若干个第二金属柱组成，呈阵列分布，且分别与LSI芯片下金属柱121平行； 所述第二金属柱的直径范围第一金属柱直径范围，所述第二金属柱的间距范围第一金属柱间距范围； 包封料将LSI芯片本体101、LSI芯片下金属柱121、低密度金属柱群210和高密度金属柱群230塑封，形成塑封体301，所述塑封体301的正面和背面均被平行减薄，仅露出第一金属柱的上下两端、第二金属柱的上下两端、LSI芯片本体101的背面和LSI芯片下金属柱外端面123； 所述第一再布线金属层510设置在塑封体301的正面，与第一金属柱、第二金属柱和LSI芯片下金属柱121电性连接，并设有第一信号端口511； 所述第二再布线金属层530设置在塑封体301的背面，与第一金属柱、第二金属柱和LSI芯片本体背面130电性连接，并设有第二信号端口531。

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