温州大学;厦门新镓能半导体科技有限公司周玩康获国家专利权
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龙图腾网获悉温州大学;厦门新镓能半导体科技有限公司申请的专利一种GaN芯片的封装结构获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223680103U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202423183393.2，技术领域涉及：H01L23/31；该实用新型一种GaN芯片的封装结构是由周玩康;周斯加;杨伟锋设计研发完成，并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种GaN芯片的封装结构在说明书摘要公布了：本实用新型涉及一种GaN芯片的封装结构，包括GaN芯片，GaN芯片的上、下端面分别连接有第一DBC散热结构和第二DBC散热结构，第二DBC散热结构包括位于中间层的第一陶瓷层、连接于第一陶瓷层上端的第一覆铜层、连接于第一陶瓷层下端的第二覆铜层，GaN芯片下端面设置有若干个连接凸部，第一覆铜层包括若干个铜引线，铜引线一端为触点配合端并具有与连接凸部抵接配合的铜层凹槽。以双DBC散热结构的连接方式取代传统引线键合的连接方式，GaN芯片下端面与第一覆铜层之间通过连接凸部、铜层凹槽形成配合，避免了键合线焊接点出现裂缝或者脱落、存在导热路径较长导热能力差等缺点，同时提升了芯片封装的可靠性。
本实用新型一种GaN芯片的封装结构在权利要求书中公布了：1.一种GaN芯片的封装结构，包括GaN芯片1，其特征在于：所述GaN芯片1的上、下端面分别连接有第一DBC散热结构和第二DBC散热结构，所述第二DBC散热结构包括位于中间层的第一陶瓷层21、连接于第一陶瓷层21上端的第一覆铜层22、连接于第一陶瓷层21下端的第二覆铜层23， 所述GaN芯片1下端面设置有若干个连接凸部11，所述第一覆铜层22包括若干个铜引线221，铜引线221具有触点配合端和与框架引脚形成电连接配合的引脚连接端2212，触点配合端具有与连接凸部11抵接配合的铜层凹槽2211。
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