普冉半导体(上海)股份有限公司陈亮琦获国家专利权
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龙图腾网获悉普冉半导体(上海)股份有限公司申请的专利芯片堆叠封装结构和封装产品获国家实用新型专利权,本实用新型专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN223680097U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉:该实用新型的专利申请号/专利号为:202423191977.4,技术领域涉及:H01L23/13;该实用新型芯片堆叠封装结构和封装产品是由陈亮琦设计研发完成,并于2024-12-23向国家知识产权局提交的专利申请。
本芯片堆叠封装结构和封装产品在说明书摘要公布了:本申请提供的一种芯片堆叠封装结构和封装产品,涉及半导体封装技术领域。该芯片堆叠封装结构包括基板、第一芯片和第二芯片。基板设有容置槽;容置槽的槽底设有第一焊盘。第一芯片设有第一凸点;第一芯片设有第一凸点的一侧朝向容置槽的槽底,第一凸点和第一焊盘电连接。第二芯片设有第二凸点;第二芯片远离第二凸点的一侧连接于第一芯片远离第一凸点的一侧。第二芯片与第一芯片和或基板电连接。该封装结构有利于缩减整体高度,减小封装体积,有利于实现小型化封装。
本实用新型芯片堆叠封装结构和封装产品在权利要求书中公布了:1.一种芯片堆叠封装结构,其特征在于,包括: 基板110,所述基板110设有容置槽111;所述容置槽111的槽底设有第一焊盘112; 第一芯片120,所述第一芯片120设有第一凸点121;所述第一芯片120设有所述第一凸点121的一侧朝向所述容置槽111的槽底,所述第一凸点121和所述第一焊盘112电连接; 第二芯片130,所述第二芯片130设有第二凸点131;所述第二芯片130远离所述第二凸点131的一侧连接于所述第一芯片120远离所述第一凸点121的一侧; 所述第二芯片130与所述第一芯片120和或所述基板110电连接。
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