嘉兴南湖学院叶晶获国家专利权
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龙图腾网获悉嘉兴南湖学院申请的专利基于导模谐振效应的TM偏振三带可调谐光谱选择性吸收器获国家实用新型专利权，本实用新型专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN223679386U 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的实用新型授权公告中获悉：该实用新型的专利申请号/专利号为：202422703455.1，技术领域涉及：G02B5/00；该实用新型基于导模谐振效应的TM偏振三带可调谐光谱选择性吸收器是由叶晶;刘传芳;赵业佳;于志恒;刘宇恒;沈锦杭设计研发完成，并于2024-11-06向国家知识产权局提交的专利申请。
本基于导模谐振效应的TM偏振三带可调谐光谱选择性吸收器在说明书摘要公布了：一种基于导模谐振效应的TM偏振三带可调谐光谱选择性吸收器，包括自上而下的石墨烯单层、六角格点纳米孔阵列，电介质薄膜层，减反射薄膜层和电介质衬底，纳米孔阵列由两维周期性六角格点纳米孔阵列组成。在TM偏振光垂直入射下，能吸收三个较窄频率范围内的入射光，吸收光谱随结构参数和入射角微调频移，但各峰值频率处吸收率高于30％，半高全宽小于0.005THz；通过调节石墨烯费米能级，吸收性能可在大频率范围内动态调谐。本实用新型TM偏振三带可调谐光谱选择性吸收器由电子束直写装置结合微电子深刻蚀工艺加工而成，取材方便，造价小，能大批量生产，具有重要的实用前景。
本实用新型基于导模谐振效应的TM偏振三带可调谐光谱选择性吸收器在权利要求书中公布了：1.一种基于导模谐振效应的TM偏振三带可调谐光谱选择性吸收器，其特征在于，该吸收器包括自上而下的石墨烯单层2、六角格点纳米孔阵列3，电介质薄膜层4，减反射薄膜层5和电介质衬底6； 所述六角格点纳米孔阵列3由两维周期性六角格点纳米孔阵列组成，在x轴上的周期为27.9～28.1微米，在60°方向上的周期26.8～27.0微米，纳米孔的直径为9.3～9.5微米，纳米孔的厚度为9.9～10.1微米；所述电介质薄膜层的厚度为7.9～8.1微米；所述减反射薄膜层的厚度为5.9～6.1微米； 其中，当TM偏振光垂直入射时，所述吸收器在三个较窄频率范围内的入射光被吸收，随结构参数和入射角度的变化，吸收光谱发生频移，峰值吸收效率随之发生变化，但各峰值频率处的吸收始终高于30％，且吸收谱线的半高全宽小于0.005THz。
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