合肥晶合集成电路股份有限公司郑威获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种图像传感器的制备方法及图像传感器获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120730856B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511235297.4，技术领域涉及：H10F39/00；该发明授权一种图像传感器的制备方法及图像传感器是由郑威;林子荏;杨智强设计研发完成，并于2025-09-01向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种图像传感器的制备方法及图像传感器在说明书摘要公布了：本申请公开了一种图像传感器的制备方法及图像传感器，图像传感器的制备方法包括：在衬底上形成硬掩模层；在硬掩模层上形成抗蚀剂掩模层，并且采用纳米压印工艺图案化抗蚀剂掩模层；经由图案化的抗蚀剂掩模层刻蚀硬掩模层以及衬底，在衬底中形成深沟槽；在深沟槽中形成隔离层，形成深沟槽隔离结构；其中，图案化的抗蚀剂掩模层包括；第二保护部，位于所述第一抗蚀剂开口和所述第二抗蚀剂开口的交叉区域，所述第二保护部具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；以及第三保护部，与所述第一保护部具有相同的厚度，形成于第二保护部和第一抗蚀剂开口或第二保护部和第二抗蚀剂开口之间，一个第二保护部对应一个第三保护部。
本发明授权一种图像传感器的制备方法及图像传感器在权利要求书中公布了：1.一种图像传感器的制备方法，包括： 在衬底上形成硬掩模层； 在所述硬掩模层上形成抗蚀剂掩模层，并且采用纳米压印工艺图案化所述抗蚀剂掩模层； 经由图案化的抗蚀剂掩模层刻蚀所述硬掩模层以及所述衬底，在所述衬底中形成深沟槽； 在所述深沟槽中形成隔离层，形成深沟槽隔离结构； 其中，图案化的抗蚀剂掩模层包括： 第一保护部，具有第一厚度； 第一抗蚀剂开口，在第一方向延伸； 第二抗蚀剂开口，在第二方向延伸，并且与所述第一抗蚀剂开口相交； 第二保护部，位于所述第一抗蚀剂开口和所述第二抗蚀剂开口的交叉区域，所述第二保护部具有第二厚度，所述第二厚度小于所述第一厚度；以及 第三保护部，与所述第一保护部具有相同的厚度，形成于第二保护部和第一抗蚀剂开口或第二保护部和第二抗蚀剂开口之间，一个第二保护部对应一个第三保护部。
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