洛阳理工学院于仕辉获国家专利权
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龙图腾网获悉洛阳理工学院申请的专利一种高透ITO导电玻璃及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120717705B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511254174.5，技术领域涉及：C03C17/36；该发明授权一种高透ITO导电玻璃及其制备方法是由于仕辉;杨盼;赵乐;李千慧设计研发完成，并于2025-09-04向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种高透ITO导电玻璃及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明涉及导电玻璃技术领域，具体是一种高透ITO导电玻璃及其制备方法，先将玻璃基底清洗干净后，利用磁控溅射技术在玻璃基底的表面溅射第一SiO2薄膜，再在第一SiO2薄膜的表面溅射ITO薄膜，之后在ITO薄膜的表面依次溅射第二SiO2薄膜、第一Ag薄膜、第三SiO2薄膜、第二Ag薄膜、第四SiO2薄膜、第三Ag薄膜、第五SiO2薄膜，最终得到高透ITO导电玻璃。本发明方法工艺简便、可控性强，所用材料廉价易得，具备良好的工业化应用前景。在所构建的结构中，SiO2与ITO协同构成三层减反射膜系，可显著提升复合膜层的可见光透过率。同时，通过在顶层SiO2中引入多层超薄银Ag膜，形成复合纳米导电通路，可实现载流子的有效跨层传输，从而赋予表层SiO2良好的表面导电性。
本发明授权一种高透ITO导电玻璃及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种高透ITO导电玻璃的制备方法，其特征在于，具体包括以下步骤： 1将玻璃基底清洗干净后，利用磁控溅射技术在玻璃基底的表面溅射第一SiO2薄膜，第一SiO2薄膜的厚度为80-130nm； 2利用磁控溅射技术在第一SiO2薄膜的表面溅射ITO薄膜，ITO薄膜的厚度为80-130nm； 3利用磁控溅射技术在ITO薄膜的表面依次溅射第二SiO2薄膜、第一Ag薄膜、第三SiO2薄膜、第二Ag薄膜、第四SiO2薄膜、第三Ag薄膜、第五SiO2薄膜，最终得到高透ITO导电玻璃。
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