合肥晶合集成电路股份有限公司高瑛丁雄获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其制造方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120711792B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511123097.X，技术领域涉及：H10D64/01；该发明授权半导体器件及其制造方法是由高瑛丁雄;张新设计研发完成，并于2025-08-12向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其制造方法在说明书摘要公布了：本公开提供了一种半导体器件及其制造方法，涉及半导体技术领域，该半导体器件的制造方法包括：在衬底上形成栅极；在衬底中形成第一掺杂区，第一掺杂区位于栅极的两侧；在衬底上形成第一金属层，第一金属层与第一掺杂区相连；进行第一次退火以使第一金属层与衬底形成辅助区；在辅助区上形成第二金属层；以及进行第二次退火以使第二金属层与衬底形成接触区，其中，衬底的材料包括硅，第一金属层的材料包括银，第二金属层的材料包括镍，接触区的材料包括银镍硅化合物，在第二次退火的过程中，辅助区用于促进第二金属层与衬底结合形成接触区，从而可降低形成镍硅化合物的退火温度，抑制镍元素在硅中移动造成的尖刺问题，提升器件的可靠性。
本发明授权半导体器件及其制造方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件的制造方法，包括： 在衬底上形成栅极； 在衬底中形成第一掺杂区，所述第一掺杂区位于所述栅极的两侧； 在所述衬底上形成第一金属层，所述第一金属层与所述第一掺杂区相连； 进行第一次退火以使所述第一金属层与所述衬底形成辅助区； 在所述辅助区上形成第二金属层；以及 进行第二次退火以使所述第二金属层与所述衬底形成接触区， 其中，所述衬底的材料包括硅，所述第一金属层的材料包括银，所述第二金属层的材料包括镍，所述接触区的材料包括银镍硅化合物， 在所述第二次退火的过程中，所述辅助区用于促进所述第二金属层与所述衬底结合形成所述接触区， 所述接触区位于所述第一掺杂区中。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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