浙江大学陈正佳获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种抗辐照SiC MOSFET器件及其制作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120711780B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511205035.3，技术领域涉及：H10D30/66；该发明授权一种抗辐照SiC MOSFET器件及其制作方法是由陈正佳;盛况;任娜设计研发完成，并于2025-08-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种抗辐照SiC MOSFET器件及其制作方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种抗辐照SiCMOSFET器件及其制作方法，所述抗辐照SiCMOSFET器件的栅区包括：栅介质层，所述栅介质层位于第一导电型漂移区表面；富电子型缺陷栅极氧化层，所述富电子型缺陷栅极氧化层位于所述栅介质层表面；栅极，所述栅极位于所述富电子型缺陷栅极氧化层表面。所述富电子型缺陷栅极氧化层内含有大量的电子型缺陷，能够在所述抗辐照SiCMOSFET器件产生电离总剂量辐射效应时，由所述富电子型缺陷栅极氧化层捕获被空间高能射线激发出的电子，形成负的电子缺陷电荷。即可以平衡在SiCSiO2界面产生的正的陷阱电荷积累，抑制阈值电压VTH负向漂移的趋势，从而提高抗总剂量效应能力。
本发明授权一种抗辐照SiC MOSFET器件及其制作方法在权利要求书中公布了：1.一种抗辐照SiCMOSFET器件，所述抗辐照SiCMOSFET器件的元胞包括：衬底和设置在所述衬底上的第一导电型漂移区、第二导电型体区、第一导电型重掺杂区和第二导电型欧姆接触区，所述漂移区表面设置有栅区，其特征在于，所述栅区包括： 栅介质层，所述栅介质层位于所述第一导电型漂移区表面； 富电子型缺陷栅极氧化层，所述富电子型缺陷栅极氧化层位于所述栅介质层表面；所述富电子型缺陷栅极氧化层能够捕获被空间高能射线激发出的电子，形成负的电子缺陷电荷，以抑制阈值电压负向漂移的趋势； 栅极，所述栅极位于所述富电子型缺陷栅极氧化层表面。
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