浙江大学杭州国际科创中心韩学峰获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江大学杭州国际科创中心申请的专利n型碳化硅单晶及其生长方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120700578B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511188665.4，技术领域涉及：C30B23/00；该发明授权n型碳化硅单晶及其生长方法是由韩学峰;宣玲玲;皮孝东;徐嶺茂;杨德仁设计研发完成，并于2025-08-25向国家知识产权局提交的专利申请。
本n型碳化硅单晶及其生长方法在说明书摘要公布了：本发明涉及一种n型碳化硅单晶及其生长方法，所述生长方法为物理气相传输法，将坩埚的原料区沿半径方向划分为多个区域，然后沿半径方向将SiC粉料按照粒径由小到大依次填充至每一个区域；以及，设置在碳化硅籽晶与SiC粉料之间的隔板包括石墨板以及包覆于石墨板表面的金属碳化物层，隔板为平面结构，且隔板设有呈同心圆点阵分布的导流孔，相邻导流孔的孔间距为2mm‑20mm，最外层导流孔与隔板边缘的垂直距离为2mm‑20mm。使用本发明的生长方法可获得晶体整体位错水平低、电阻率低且均匀性高的大尺寸n型碳化硅单晶。
本发明授权n型碳化硅单晶及其生长方法在权利要求书中公布了：1.一种n型碳化硅单晶的生长方法，所述生长方法为物理气相传输法，其特征在于，将坩埚的原料区沿半径方向划分为第一区域、第二区域和第三区域，所述第一区域中填充第一SiC粉料，所述第二区域中填充第二SiC粉料，所述第三区域中填充第三SiC粉料，所述第一SiC粉料的粒径小于或等于500μm，所述第二SiC粉料的粒径为500μm-1000μm，所述第三SiC粉料的粒径大于或等于1000μm，以体积分数计，所述第一SiC粉料的占比为10%-50%，所述第二SiC粉料的占比为10%-50%，所述第三SiC粉料的占比为5%-50%； 以及，设置在碳化硅籽晶与所述SiC粉料之间的隔板包括石墨板以及包覆于所述石墨板表面的金属碳化物层，所述隔板为平面结构，且所述隔板设有呈同心圆点阵分布的导流孔，相邻所述导流孔的孔间距为2mm-20mm，最外层所述导流孔与所述隔板边缘的垂直距离为2mm-20mm。
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