合肥晶合集成电路股份有限公司朱瑶获国家专利权
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龙图腾网获悉合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利一种浅沟槽隔离结构的制造方法及浅沟槽隔离结构获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120656992B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511167729.2，技术领域涉及：H01L21/762；该发明授权一种浅沟槽隔离结构的制造方法及浅沟槽隔离结构是由朱瑶;杨军设计研发完成，并于2025-08-20向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种浅沟槽隔离结构的制造方法及浅沟槽隔离结构在说明书摘要公布了：本申请公开了一种浅沟槽隔离结构的制造方法及浅沟槽隔离结构，浅沟槽隔离结构的制造方法包括：在半导体层上形成具有保护结构的硬掩模层；形成贯穿所述硬掩模层并延伸所述半导体层内部的沟槽；在所述沟槽中形成隔离介质，所述保护结构与所述沟槽中的隔离介质邻接；以及去除所述硬掩模层，形成浅沟槽隔离结构；其中，去除所述硬掩模层的过程中，所述保护结构对沟槽中的隔离介质的侧壁进行保护，以防止在所述半导体层与所述隔离介质的侧壁之间形成空隙。
本发明授权一种浅沟槽隔离结构的制造方法及浅沟槽隔离结构在权利要求书中公布了：1.一种浅沟槽隔离结构的制造方法，包括： 在半导体层上形成具有保护结构的硬掩模层； 形成贯穿所述硬掩模层并延伸至所述半导体层内部的沟槽； 在所述沟槽中形成隔离介质，所述保护结构与所述沟槽中的隔离介质邻接；以及 去除所述硬掩模层，形成浅沟槽隔离结构； 其中，去除所述硬掩模层的过程中，所述保护结构对沟槽中的隔离介质的侧壁进行保护，以防止在所述半导体层与所述隔离介质的侧壁之间形成空隙； 在半导体层上形成具有保护结构的硬掩模层的方法包括： 在所述半导体层的表面形成第一硬掩模层； 在所述第一硬掩模层中形成保护区域，所述第一硬掩模层中除保护区域以外的区域为非保护区域； 在所述第一硬掩模层上形成第二硬掩模层，其中，所述保护区域上的第二硬掩模层的厚度大于所述非保护区域上的第二硬掩模层的厚度，所述保护区域上的第二硬掩模层形成保护凸起，所述保护凸起与所述保护区域构成保护结构；以及 在所述第二硬掩模层上形成第三硬掩模层，其中，所述第三硬掩模层覆盖所述保护凸起的部分相应地形成凸起部。
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