浙江求是创芯半导体设备有限公司曹建伟获国家专利权
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龙图腾网获悉浙江求是创芯半导体设备有限公司申请的专利一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120649000B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511157407.X，技术领域涉及：C23C16/40；该发明授权一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备是由曹建伟;朱凌锋;徐思远;吴茂敏;张璇;白孟孟;庞锦涛设计研发完成，并于2025-08-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备在说明书摘要公布了：本发明属于半导体生产技术领域，涉及一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备，所述方法包括如下步骤：1通入掺杂元素前驱体，使其热分解并吸附于基底表面，然后进行第一吹扫；2通入硅前驱体，使其吸附于基底表面，然后进行第二吹扫；3氧源与掺杂元素前驱体的分解物以及硅前驱体进行氧化反应，然后进行第三吹扫；循环步骤1至步骤3，直至在基底表面生成目标厚度的掺杂氧化硅薄膜。本发明使掺杂元素前驱体分解，分解产物再与硅前驱体以及氧源反应，从而促进掺杂氧化硅薄膜在基底上完成沉积，实现了利用热式ALD手段沉积掺杂氧化硅薄膜，并且该方法也能够通过等离子体增强ALD手段沉积掺杂氧化硅薄膜。
本发明授权一种沉积掺杂氧化硅薄膜的方法及气相沉积设备在权利要求书中公布了：1.一种热式原子层沉积工艺沉积掺杂氧化硅薄膜的方法，其特征在于，所述方法包括如下步骤： 1通入掺杂元素前驱体，使其热分解并吸附于基底表面，然后进行第一吹扫；步骤1所述通入掺杂元素前驱体之前，控制反应温度不低于掺杂元素前驱体的热分解温度； 2通入硅前驱体，使其吸附于基底表面，然后进行第二吹扫； 3通入氧源，氧源与掺杂元素前驱体的分解物以及硅前驱体进行氧化反应，然后进行第三吹扫； 循环步骤1至步骤3，直至在基底表面生成目标厚度的掺杂氧化硅薄膜。
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