北京中航科电测控技术股份有限公司金维国获国家专利权
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龙图腾网获悉北京中航科电测控技术股份有限公司申请的专利一种用于半导体腔体组件晶圆升降装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120637309B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510805698.2，技术领域涉及：H01L21/687；该发明授权一种用于半导体腔体组件晶圆升降装置是由金维国;吕东升设计研发完成，并于2025-06-17向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种用于半导体腔体组件晶圆升降装置在说明书摘要公布了：本发明属于半导体制造技术领域，具体地涉及一种用于半导体腔体组件晶圆升降装置。其包括基台、壳体和离子风机，壳体内部分别安装电极层和绝缘层，所述壳体内安装分离组件，所述壳体内安装升降组件；所述绝缘层包括底座、固体绝缘材料、柔性绝缘材料和气腔；所述壳体顶部开设进气槽。本发明通过气缸一带动纵杆和塞板下移，随着塞板下移，气腔产生负压，柔性绝缘材料在负压的作用下凹陷，使柔性绝缘材料脱离与晶圆接触。通过离子风机吹出的离子风通过壳体顶部的进气槽进入柔性绝缘材料与晶圆的间隙，使离子风作用于晶圆底部，即残留电荷集聚的区域，进而有效地加速电荷消除，提高除电荷效率。
本发明授权一种用于半导体腔体组件晶圆升降装置在权利要求书中公布了：1.一种用于半导体腔体组件晶圆升降装置，其特征在于：包括基台1，基台1上固定安装壳体3和离子风机2，壳体3内部分别安装电极层4和绝缘层5，绝缘层5位于电极层4顶部，晶圆放置在绝缘层5上，所述壳体3内安装分离组件6，所述壳体3内安装升降组件8； 所述绝缘层5包括底座501，底座501上分别安装固体绝缘材料502和柔性绝缘材料503，底座501上开设气腔504，气腔504与柔性绝缘材料503对应；所述分离组件6包括气缸一604，气缸一604安装在壳体3内部，气缸一604输出端连接横板603，横板603上安装若干纵杆602，纵杆602贯穿电极层4与塞板601连接，塞板601位于气腔504内部滑动； 所述壳体3顶部开设进气槽7；通过气缸一604带动塞板601下移，使气腔504内产生负压，柔性绝缘材料503在负压的作用下凹陷，此时离子风机2的吹出来的离子风通过进气槽7进入晶圆底部，即晶圆与绝缘层5的接触面。
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