山西烁科晶体有限公司高宇鹏获国家专利权
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龙图腾网获悉山西烁科晶体有限公司申请的专利一种渗硅的碳化硅多孔料块及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120608327B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510885994.8，技术领域涉及：C30B29/36；该发明授权一种渗硅的碳化硅多孔料块及其制备方法和应用是由高宇鹏;李斌;魏汝省;毛开礼;李天;王国宏;刘宏伟;韩淳屹设计研发完成，并于2025-06-27向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种渗硅的碳化硅多孔料块及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明公开了一种渗硅的碳化硅多孔料块及其制备方法和应用，渗硅的碳化硅多孔料块包括中间体和包覆于中间体表面的碳化硅层，中间体包括具有多孔的碳化硅块和位于多孔中的硅晶，碳化硅块和硅晶的质量比为70~95:5~30。本发明将渗硅的碳化硅多孔料块和常规的碳化硅粉末按照比例混合，然后将混合料用于长晶，随着初期混合料的分解，渗硅碳化硅块外部的碳化硅层开始优先分解，到生长中后期后，多孔内部的硅随着碳化硅的分解也开始分解，保持中后期气氛中的碳硅比稳定，提高厚度较高的碳化硅晶体的质量。
本发明授权一种渗硅的碳化硅多孔料块及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种渗硅的碳化硅多孔料块，其特征在于：包括中间体和包覆于中间体表面的碳化硅层，中间体包括具有多孔的碳化硅块和位于多孔中的硅晶。
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2、报告中的分析和结论仅反映本公司于发布本报告当日的职业理解，仅供参考使用，不能作为本公司承担任何法律责任的依据或者凭证。
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