横店集团东磁股份有限公司吴成坤获国家专利权
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龙图腾网获悉横店集团东磁股份有限公司申请的专利背接触太阳能电池及其制备方法、电池组件获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120568864B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202511063232.6，技术领域涉及：H10F10/16；该发明授权背接触太阳能电池及其制备方法、电池组件是由吴成坤;任勇;陈德爽;刘嫦设计研发完成，并于2025-07-31向国家知识产权局提交的专利申请。
本背接触太阳能电池及其制备方法、电池组件在说明书摘要公布了：本公开涉及太阳能电池技术领域，公开了背接触太阳能电池及其制备方法、电池组件。背接触太阳能电池包括：基底层、第一极性结构、第二极性结构和隔离凹槽，基底层包括相对设置的受光面和背光面；第一极性结构和第二极性结构交替形成于基底层的背光面一侧；隔离凹槽形成在第一极性结构和第二极性结构之间，且深入基底层内；隔离凹槽的底部在靠近第一极性结构和或靠近第二极性结构的端部形成倒角结构，倒角结构自隔离凹槽的底部表面朝向受光面一侧凹陷成型。本公开的倒角结构相较隔离凹槽深度更深，有效阻隔不同极性的扩散原子之间的导通，也可进一步缩窄隔离凹槽底部的宽度，同时增强背面一侧对入射太阳光线的有效内反射，提升电池的光学性能。
本发明授权背接触太阳能电池及其制备方法、电池组件在权利要求书中公布了：1.一种背接触太阳能电池，其特征在于，包括： 基底层，包括相对设置的受光面和背光面； 第一极性结构和第二极性结构，交替形成于所述基底层的所述背光面一侧； 隔离凹槽，形成在所述第一极性结构和所述第二极性结构之间，且深入所述基底层内；所述隔离凹槽的底部在靠近所述第一极性结构和或靠近所述第二极性结构的端部形成倒角结构，所述倒角结构自所述隔离凹槽的底部表面朝向所述受光面一侧凹陷成型，所述倒角结构的底部与所述背光面之间的距离大于所述隔离凹槽的底部与所述背光面之间的距离。
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