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龙图腾网获悉中国科学院国家空间科学中心申请的专利基于高能粒子的DDR4 SDRAM固定位错误试验方法与装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120564802B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510658848.1，技术领域涉及：G11C29/06；该发明授权基于高能粒子的DDR4 SDRAM固定位错误试验方法与装置是由马英起;于天;徐小恒;张龙龙;王杰义设计研发完成，并于2025-05-21向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于高能粒子的DDR4 SDRAM固定位错误试验方法与装置在说明书摘要公布了：本发明涉及基于高能粒子的DDR4SDRAM固定位错误试验方法与装置，方法包括：S1、获取DDR4SDRAM样本器件，选取目标辐射源、辐照能量；S2、根据目标辐射源、辐照能量，从初始粒子注量对样本器件进行辐照；S3、判断辐照之后的样本器件是否出现固定位错误，若未出现固定位错误，则根据初始粒子注量增加粒子注量对样本器件进行辐照，重复S3，若出现固定位错误，则记录达到损伤阈值的粒子注量并确定固定位错误数量；S4、对样本器件进行退火曲线测量，并根据达到损伤阈值的粒子注量，获取退火曲线，根据损伤阈值和退火曲线确定最优器件。本发明能够对DDR4SDRAM固定位错误进行有效的评估。

本发明授权基于高能粒子的DDR4 SDRAM固定位错误试验方法与装置在权利要求书中公布了：1.基于高能粒子的DDR4SDRAM固定位错误试验方法，其特征在于，包括： S1、获取DDR4SDRAM样本器件，选取目标辐射源、辐照能量； S2、根据所述目标辐射源、辐照能量，从初始粒子注量对所述样本器件进行辐照； S3、判断辐照之后的样本器件是否出现固定位错误，若未出现固定位错误，则根据所述初始粒子注量增加粒子注量对所述样本器件进行辐照，重复S3，若出现固定位错误，则记录达到损伤阈值的粒子注量并确定错误比特数量； S4、对所述样本器件进行退火曲线测量，并根据所述达到损伤阈值的粒子注量，获取退火曲线，根据损伤阈值和退火曲线确定最优器件； 对所述样本器件进行退火曲线测量包括： S41、预设所述样本器件的初始自刷新间隔时间，在所述初始自刷新间隔时间下进行棋盘格循环读写测试，获取初始自刷新间隔时间下的固定位错误数量； S42、逐级减少自刷新间隔，运行棋盘格循环读写测试，获取逐级减少自刷新间隔下的固定位错误数量； S43、判断固定位错误是否消失，若消失获取所述退火曲线，若未消失则继续判断是否达到预定的总退火时间，若达到则获取所述退火曲线，若未到达则返回S41； 获取所述退火曲线包括：根据错误比特数量、芯片总比特数、达到损伤阈值的粒子注量，计算错误截面，根据所述错误截面，绘制所述退火曲线； 所述错误截面的计算方法为： ； 其中，为错误截面，为错误比特数量，为芯片总比特数，为达到损伤阈值的粒子注量。

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