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华东理工大学;苏州实验室龙东辉获国家专利权

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龙图腾网获悉华东理工大学;苏州实验室申请的专利一种超低密度碳泡沫材料及制备方法获国家发明授权专利权,本发明授权专利权由国家知识产权局授予,授权公告号为:CN120398566B

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉:该发明授权的专利申请号/专利号为:202510612777.1,技术领域涉及:C04B38/00;该发明授权一种超低密度碳泡沫材料及制备方法是由龙东辉;姚佳鑫;曹宇;牛波;李亮;罗艺;苏哲;贺耀;刘杰设计研发完成,并于2025-05-13向国家知识产权局提交的专利申请。

一种超低密度碳泡沫材料及制备方法在说明书摘要公布了:本发明涉及一种超低密度碳泡沫材料及制备方法,属于防隔热材料,解决了现有技术中碳泡沫密度高,工艺复杂,导热系数大、无法满足高温绝热领域的需求,碳泡沫易掉渣、力学性能不足等问题。一种超低密度碳泡沫材料的制备方法,包括以下步骤:S1、将碳源基体和增容剂混合均匀,得到改性碳源基体;S2、将碳纳米材料加入改性碳源基体中,形成碳纳米材料增强的碳源基体;S3、碳质前驱体溶液的配制;S4、渗透溶胀:将多孔聚合物泡沫置于碳质前驱体溶液中,进行渗透溶胀,形成均匀分布的复合结构;S5、碳质前驱体溶液分布调控;S6、固化反应;S7、高温梯度热解,得到具有致密碳骨架的超低密度碳泡沫。提高了泡沫碳材料的保温性能和力学性能。

本发明授权一种超低密度碳泡沫材料及制备方法在权利要求书中公布了:1.一种超低密度碳泡沫材料的制备方法,其特征在于,包括碳质前驱体的制备,具体包括以下步骤: S1、碳源基体的预处理:将碳源基体和增容剂混合均匀,得到改性碳源基体; S2、碳纳米材料增强碳源基体的制备:将碳纳米材料加入S1所制得的改性碳源基体中,通过机械搅拌及超声处理使其均匀分散,形成碳纳米材料增强的碳源基体; S3、碳质前驱体溶液的配制:将S2制得的碳纳米材料增强的碳源基体与固化剂混合,在水浴环境中进行预反应,得到碳质前驱体溶液; 所述增容剂包括聚偏二氟乙烯PVDF、聚乙二醇PEG、聚丙烯酸PAA的一种或几种; 所述制备方法还包括如下步骤: S4、渗透溶胀:将多孔聚合物泡沫置于S3中所制得的碳质前驱体溶液中,进行渗透溶胀,形成均匀分布的复合结构; S5、碳质前驱体溶液分布调控:调控碳质前驱体溶液分布,去除复合结构孔隙中的过量碳质前驱体溶液,得到骨架富碳质前驱体溶液的湿复合泡沫; S6、固化反应:将S5得到的湿复合泡沫置于烘箱中进行梯度升温固化,待反应结束后冷却至室温,得到具有开孔结构的高强度硬质复合泡沫; S7、高温梯度热解:将S6中所制得的高强度硬质复合泡沫置于高温碳化炉中,在惰性氛围下进行高温梯度热解,最后冷却至室温,得到具有致密碳骨架的超低密度碳泡沫。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术,可联系本专利的申请人或专利权人华东理工大学;苏州实验室,其通讯地址为:200000 上海市徐汇区梅陇路130号;或者联系龙图腾网官方客服,联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

以上内容由龙图腾AI智能生成。

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