北京大学王宗巍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种三维铁电存储器阵列及其制备方法和操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120152293B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510253944.8，技术领域涉及：H10B51/20；该发明授权一种三维铁电存储器阵列及其制备方法和操作方法是由王宗巍;冀映彤;蔡一茂;黄如设计研发完成，并于2025-03-05向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种三维铁电存储器阵列及其制备方法和操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种三维铁电存储器阵列及其制备方法和操作方法，属于微电子学与集成电路技术领域。本发明三维铁电存储器阵列包括衬底上的沿垂直方向和水平方向阵列分布的存储器单元，每个存储器单元沿水平方向从左到右或从右到左依次为栅金属层、第一隔离层、铁电材料层、浮栅金属层、第二隔离层和沟道层。本发明在铁电NANDFlash存储器中增加浮栅金属层，能够均匀化铁电材料层和沟道层之间的电场分布，减少非铁电物相引起的局部电场变化，有效屏蔽了铁电材料层内部非铁电物相对阈值电压的影响，减少阈值电压的涨落，增多存储的逻辑态。
本发明授权一种三维铁电存储器阵列及其制备方法和操作方法在权利要求书中公布了：1.一种三维铁电存储器阵列的制备方法，其特征在于，该三维铁电存储器阵列包括衬底上的沿垂直方向和水平方向阵列分布的存储器单元，所述存储器单元沿水平方向从左到右或从右到左依次为栅金属层、第一隔离层、铁电材料层、浮栅金属层、第二隔离层和沟道层，其中，浮栅金属层作为导电层，用于均匀铁电材料层和沟道层之间的电场分布，相邻存储器单元的栅金属层之间或沟道层之间设有隔离介质层，其步骤包括如下： 1在衬底上依次沉积多层隔离层牺牲层叠层； 2通过光刻和刻蚀形成沟槽区域； 3刻蚀除去牺牲层； 4生长栅金属层，填充原来牺牲层的位置； 5沿侧壁依次生长第一隔离层、铁电材料层、浮栅金属层、第二隔离层和生长保护层； 6刻蚀除去沟槽底部的第二隔离层、浮栅金属层、铁电材料层和第一隔离层，刻蚀除去侧壁保护层； 7生长沟道层； 8生长隔离介质层填实沟槽，并进行平坦化。
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