中国矿业大学(北京)刘斌获国家专利权
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龙图腾网获悉中国矿业大学(北京)申请的专利一种基于方矩形多嵌套结构的超表面吸波体获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120127416B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510271818.5，技术领域涉及：H01Q17/00；该发明授权一种基于方矩形多嵌套结构的超表面吸波体是由刘斌;刘忠诚;胡成玺;田子建设计研发完成，并于2025-03-10向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于方矩形多嵌套结构的超表面吸波体在说明书摘要公布了：本发明设计公开了一种基于方矩形多嵌套结构的超表面吸波体，该结构由顶层金属谐振层、介质层和底层金属层构成。所提出的吸波体由多个谐振单元周期阵列组成，其谐振层由衔接矩形分裂环和方形环组成。衔接矩形分裂环分布在介质层的最外围，每个衔接矩形分裂环由四个矩形衔接结构组成，并且其外边界与介质层外边界保持重合，方形环在衔接矩形分裂环的内测中心处并与衔接矩形分裂环保持一定距离。所提出的超表面吸波体制作成本低，结构简单，在6.46GHz和8.94GHz两个频率点处的吸收率分别达到了99.4％和99.8％，具有非常好的双频带吸收特性。
本发明授权一种基于方矩形多嵌套结构的超表面吸波体在权利要求书中公布了：1.一种基于方矩形多嵌套结构的超表面吸波体，其特征在于：包括：金属谐振层、介质层和金属反射层；其中，所述金属谐振层附着在介质层的顶层，所述金属反射层附着在所述介质层的底层； 所述金属谐振层由多个谐振单元周期阵列组成，所述谐振单元包括：衔接矩形分裂环结构和方形环；所述介质层为正方形结构，所述衔接矩形分裂环结构的中心与所述介质层的对角线交点重合，方形环分布在衔接矩形分裂环结构的内测中心处，并且所述方形环的外边界与所述介质层的边界保持4.9mm的距离； 所述衔接矩形分裂环由四个矩形衔接结构组成，所述四个矩形衔接结构分别分布在所述介质层的四周，且每一个矩形衔接结构均由一个第一矩形结构和两个第二矩形结构衔接而成，且所述第一矩形结构的长度大于第二矩形结构的长度； 所述第一矩形结构沿长度方向的一边与所述介质层边界重合，两个所述第二矩形结构沿宽度方向的一边并列衔接于所述第一矩形结构沿长度方向的另一边，且两个所述第二矩形结构之间保持3mm的距离。
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