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龙图腾网获悉天津理工大学申请的专利一种硫化铋/钨酸铋/三氧化钨光阳极及其制备方法和光电催化析氢的应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120117655B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510248347.6，技术领域涉及：C01G41/00；该发明授权一种硫化铋/钨酸铋/三氧化钨光阳极及其制备方法和光电催化析氢的应用是由孔丽娜;林子钰设计研发完成，并于2025-03-04向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种硫化铋/钨酸铋/三氧化钨光阳极及其制备方法和光电催化析氢的应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种硫化铋钨酸铋三氧化钨光阳极及其制备方法和光电催化析氢的应用，首先通过化学浴沉积法在FTO基底上生长WO3纳米片，然后将Bi2WO6利用溶剂热法负载在WO3的表面制得Bi2WO6WO3，之后通过阴离子交换法制得Bi2S3Bi2WO6WO3复合薄膜。该光阳极在碱性电解液中表现出高效的光电催化水解产氢性能，偏压辅助模拟太阳光照射下的光电催化水解产氢量达到330μmolh以上，太阳能电池辅助户外太阳光照射下的光电催化水解产氢量达到260μmolh以上。本发明通过原位生长形成Bi2WO6WO3异质结构，并通过简单的阴离子交换法将Bi2WO6WO3硫化，硫化铋钨酸铋三氧化钨三元异质结的协同作用发挥出优异的光电催化产氢性能，且在24h光电流响应测试中保持良好的稳定性。

本发明授权一种硫化铋/钨酸铋/三氧化钨光阳极及其制备方法和光电催化析氢的应用在权利要求书中公布了：1.一种硫化铋钨酸铋三氧化钨复合薄膜的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：首先通过化学浴沉积法在FTO基底上生长WO3纳米片，然后将Bi2WO6利用溶剂热法负载在WO3的表面制得Bi2WO6WO3，之后通过阴离子交换法制得Bi2S3Bi2WO6WO3复合薄膜； 该方法包括如下步骤： 1以化学浴沉积法制备出附着在氟掺杂氧化锡玻璃刚性衬底上的WO3纳米片；具体操作步骤为： 以二水钨酸钠为钨源，去离子水和盐酸为溶剂，配制成溶液，将溶液充分搅拌后，加入草酸铵，得到前驱液待用，将处理好的氟掺杂氧化锡玻璃基板放置于烧杯内，导电面朝下，再将配好的溶液缓慢倒入，将密封好的烧杯置于80°C的水浴锅中保持12h，然后将生长完成的薄膜样品从悬浮液中取出，用去离子水清洗后干燥，放入马弗炉中，以2oCmin的升温速率升温至500°C，煅烧2h，自然冷却到室温，得到WO3纳米片薄膜； 2以五水硝酸铋为铋源，二水钨酸钠为钨源，乙二醇为溶剂，在室温下充分搅拌，将搅拌好的前驱液放入50mL反应釜内胆中，并将WO3薄膜面朝下放入反应釜内衬中，反应釜在干燥箱中升温至160°C后保温15h，冷却至室温后取出样品，用去离子水冲洗薄膜，然后在80°C下干燥12h，最后将沉积后的薄膜样品放入马弗炉中，升温至450°C退火2h，得到Bi2WO6WO3复合薄膜； 3以九水硫化钠为硫源，去离子水为溶剂，配制前驱液，将Bi2WO6WO3复合薄膜浸渍在前驱液中1h，然后用去离子水冲洗，后放在真空干燥箱中60°C保持6h，得到Bi2S3Bi2WO6WO3复合薄膜。

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