北京大学王宗巍获国家专利权
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龙图腾网获悉北京大学申请的专利一种基于阻变存储器的存储阵列结构及其操作方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120050946B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510195288.0，技术领域涉及：H10B63/00；该发明授权一种基于阻变存储器的存储阵列结构及其操作方法是由王宗巍;陈雨杰;蔡一茂;鲍盛誉;黄如设计研发完成，并于2025-02-21向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种基于阻变存储器的存储阵列结构及其操作方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种基于阻变存储器的新型存储阵列结构及其操作方法，属于半导体集成电路技术领域。该新型存储阵列结构包括呈阵列分布的存储单元，每个存储单元由一个晶体管与一个RRAM串联形成，RRAM位于晶体管漏极，同一行上的每两个存储单元共享一个源极，每N列存储单元共用一个P型衬底，多个P型衬底之间通过DTI深槽隔离，所有存储单元共用一个深N阱DNW，深N阱DNW位于P型衬底的下方，每行存储单元的RRAM顶电极通过位线BL连接，每列存储单元的晶体管栅极、源极分别通过字线WL、源线SL连接。本发明仅需施加较小的输入信号，即可实现高电流输出，从而在降低功耗的同时，显著提高存储单元的性能和可靠性。
本发明授权一种基于阻变存储器的存储阵列结构及其操作方法在权利要求书中公布了：1.一种基于阻变存储器的存储阵列结构，其特征在于，包括呈阵列分布的存储单元，每个存储单元由一个晶体管与一个RRAM串联形成，RRAM位于晶体管漏极上方，同一行上的每两个存储单元共享一个源极，每N列存储单元共用一个P型衬底，多个P型衬底之间通过DTI深槽隔离，所有存储单元共用一个深N阱DNW，深N阱DNW位于P型衬底的下方，每行存储单元的RRAM顶电极通过位线BL连接，每列存储单元的晶体管栅极、源极分别通过字线WL、源线SL连接，所述P型衬底上每隔M行存储单元设有横向的P+掺杂区域作为横向的衬底接触线，通过该衬底接触线控制一整块P型衬底上所有存储单元的电位。
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