中山大学王旭东获国家专利权
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龙图腾网获悉中山大学申请的专利一种钙钛矿同质结厚膜及其制备方法和应用获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN120035362B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510326372.1，技术领域涉及：H10K85/50；该发明授权一种钙钛矿同质结厚膜及其制备方法和应用是由王旭东;邹素燕;盛聪艺;匡代彬设计研发完成，并于2025-03-19向国家知识产权局提交的专利申请。
本一种钙钛矿同质结厚膜及其制备方法和应用在说明书摘要公布了：本发明提供了一种钙钛矿同质结厚膜及其制备方法和应用，所述钙钛矿同质结厚膜的化学组成为MAPbI3、MAPbBr3、MAPbCl3、FAPbI3、FAxMA1‑xPbI3、FAxCs1‑xPbI3、MAxFAyCs1‑x‑yPbI3、FAPbBr3中的至少一种，其中0≤x≤1，0≤y≤1。该钙钛矿同质结厚膜，改善了刮涂制备厚膜中的孔洞问题，提高了载流子的传输性能，在X射线探测中具有更高的信噪比和灵敏度，从而提升探测成像能力，适用于高性能X射线探测器件。本发明还提供了钙钛矿同质结厚膜的制备方法和应用。
本发明授权一种钙钛矿同质结厚膜及其制备方法和应用在权利要求书中公布了：1.一种制备钙钛矿同质结厚膜的方法，其特征在于，包括以下步骤： S1：按化学组成，将钙钛矿微晶分别溶于第一溶剂和第二溶剂中，得到第一油墨和第二油墨； S2：将所述第一油墨在基底表面进行第一次涂布后进行第一次退火，形成第一层膜； S3：将第二油墨在所述第一层膜表面进行第二次涂布后进行第二次退火，得到所述的钙钛矿同质结厚膜； 所述第一溶剂的沸点高于所述第二溶剂； 所述第一溶剂与所述钙钛矿微晶的配位能力大于所述第二溶剂与所述钙钛矿微晶的配位能力； 所述第一次退火的温度大于所述第二次退火的温度，所述第一次退火的温度为140℃~180℃，所述第二次退火的温度为80℃~120℃，所述第一次退火的时间为0.5~1.5h，所述第二次退火的时间为5~30min。
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