武汉新芯集成电路股份有限公司杜艳强获国家专利权
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龙图腾网获悉武汉新芯集成电路股份有限公司申请的专利半导体器件及其操作方法以及存储系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119993225B 。
龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311483848.X，技术领域涉及：G11C11/4074；该发明授权半导体器件及其操作方法以及存储系统是由杜艳强设计研发完成，并于2023-11-07向国家知识产权局提交的专利申请。
本半导体器件及其操作方法以及存储系统在说明书摘要公布了：本申请提供一种半导体器件及其操作方法以及存储系统，所述半导体器件包括模式检测电路与电荷泵；所述模式检测电路对应于所述半导体器件的第一状态模式与第二状态模式，而分别提供第一模式使能信号与第二模式使能信号；所述电荷泵根据所述第一模式使能信号与所述第二模式使能信号，而分别处于产生第一输出电流的第一动作模式以及产生第二输出电流的第二动作模式；所述第一状态模式包括接续存取于相同字线上的存储单元的同字线存取状态。通过所述半导体器件，可将电荷泵调为待机的第一动作模式，仅需要切换字线时才调为工作的第二动作模式，可以维持字线所需的高电压，同时电荷泵的工作电流与刷新频率能大大降低，从而可以大大降低读取功耗。
本发明授权半导体器件及其操作方法以及存储系统在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，所述半导体器件包括： 模式检测电路，用以对应于所述半导体器件的第一状态模式与第二状态模式，而分别提供第一模式使能信号与第二模式使能信号；以及， 电荷泵，用以根据所述第一模式使能信号与所述第二模式使能信号，而分别处于产生第一输出电流的第一动作模式以及产生第二输出电流的第二动作模式； 其中，所述第一状态模式包括接续存取于相同字线上的存储单元的同字线存取状态，所述第二状态模式包括接续存取不同字线上的存储单元的异字线存取状态，且所述第一输出电流小于所述第二输出电流。
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