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龙图腾网获悉中国电子科技集团公司第五十八研究所申请的专利一种降低高压SOI BCD工艺寄生电容制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119947231B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510118097.4，技术领域涉及：H10D84/03；该发明授权一种降低高压SOI BCD工艺寄生电容制备方法是由徐海铭;洪根深;廖远宝;唐新宇;徐大为;张庆东;谢儒彬设计研发完成，并于2025-01-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种降低高压SOI BCD工艺寄生电容制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开一种降低高压SOIBCD工艺寄生电容制备方法，制作Trench隔离槽并通过SiO2介质进行槽内填充；制作Trench连接槽并通过多晶硅进行槽内填充；在高压管区和低压管区分别进行P阱光刻、注入、推阱；在高压管区进行LDDN‑漂移区的制作；进行场板的光刻和腐蚀，完成高压管多晶场板调制电场；生长栅氧SiO2介质，并进行栅多晶控制区的淀积和腐蚀；对高、低压管均进行N+、P+光刻、注入和退火激活；生长SiO2介质层进行全面覆盖，进行接触孔的光刻和干法腐蚀，并进行体区P+注入，在接触孔内形成钨；完成金属淀积、光刻和腐蚀，再做一层钝化介质的化学淀积、光刻和腐蚀，以保护器件。本发明能切断总剂量试验后漏电通路，实现屏蔽栅VDMOS的总剂量加固功能。

本发明授权一种降低高压SOI BCD工艺寄生电容制备方法在权利要求书中公布了：1.一种降低高压SOIBCD工艺寄生电容制备方法，其特征在于，包括： 在器件层上制作Trench隔离槽，在Trench隔离槽内生长淀积SiO2介质，完成Trench槽内填充，满足不同管子之间耐压需求； 进行Trench连接槽的光刻和腐蚀，打开低压NMOS管区的埋氧绝缘层，连接器件层和衬底层，实现上下零电压差， 在Trench连接槽内生长淀积多晶硅，完成Trench连接槽内填充，实现上下两层的多晶互联； 在器件高压管区和低压管区分别进行P阱光刻、注入、推阱形成高压管P阱和低压管P阱，实现NMOS管耐压和隔离； 在高压管区进行LDDN-漂移区的制作，完成LDDN-漂移区的光刻、注入和退火；进行场板的光刻和腐蚀，完成高压管多晶场板调制电场； 生长栅氧SiO2介质，并进行栅多晶控制区的淀积和腐蚀，作为高、低压管的栅控制端； 对高、低压管均进行N+、P+光刻、注入和退火激活，形成源、漏、体区； 生长SiO2介质层进行全面覆盖，进行接触孔的光刻和干法腐蚀，并进行体区P+注入，在接触孔内形成钨，分别把栅多晶控制端、源体接触端和源多晶控制端引出； 完成金属淀积、光刻和腐蚀，在完成以上功能设计和制作基础上再做一层钝化介质的化学淀积、光刻和腐蚀，以保护器件。

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