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龙图腾网获悉西安微电子技术研究所申请的专利一种触发型CMOS图像传感器及其实现方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119946459B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510004210.6，技术领域涉及：H04N25/76；该发明授权一种触发型CMOS图像传感器及其实现方法是由李婷;何杰;曹天骄;徐晚成;袁昕;张曼;崔双韬;李海松;杨靓设计研发完成，并于2025-01-02向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种触发型CMOS图像传感器及其实现方法在说明书摘要公布了：本发明涉及图像传感器技术领域，具体涉及一种触发型CMOS图像传感器及其实现方法；所述控制电路包括用于输出光电信号的输出电路和用于输入光电信号的读出电路，所述输出电路包括复位管S4、传输管S5、输出管S6、源跟随管S10、比较单元、开关S8、开关S7以及光电信号存储电容；本发明采用像素级光电信号存储和比较方式，确定后一次图像与前一次图像在单个像素的上变化情况，对变化信号进行量化并标识位置信息，极大的缩短了量化和处理时间，大幅降低了功耗和提升了帧频，对目标检测、跟踪、边境监测等事件发现应用场景具有重要的意义。

本发明授权一种触发型CMOS图像传感器及其实现方法在权利要求书中公布了：1.一种触发型CMOS图像传感器，其特征在于，包括光电二极管以及控制电路； 所述光电二极管设于上层芯片，控制电路设于下层芯片，其中上层芯片与下层芯片采用3D堆叠的结构，且上层芯片与下层芯片通过键合实现互联； 所述控制电路包括用于输出光电信号的输出电路和用于输入光电信号的读出电路，所述输出电路包括复位管S4、传输管S5、输出管S6、源跟随管S10、比较单元、开关S8、开关S7以及光电信号存储电容； 所述复位管S4和源跟随管S10的漏极均连接VDD，传输管S5的源级与位于芯片上层的光电二极管相连后接地，传输管S5的漏极与复位管S4的源级连接至FD点，FD点连接源跟随管S10的栅极，源跟随管S10的源级与输出管S6的源级连接至开关S7和开关S8，输出管S6的漏极输出光电信号； 所述光电信号存储电容一端与开关S7相连后接地，另一端还与比较单元其中一个端口相连，其中比较单元另一个端口与开关S8相连； 所述比较单元包括第一比较器、第二比较器以及异或门，所述异或门的两个输入端分别接收第一比较器的光电信号和第二比较器的光电信号，异或门的输出端输出指示信号至逻辑控制；所述第一比较器的正端与第二比较器的负端相连用于接收后一次光电信号，第一比较器的负端与第二比较器的正端相连用于接收前一次光电信号。

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