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龙图腾网获悉北京超弦存储器研究院申请的专利一种半导体器件及其制造方法、电子设备获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119922906B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202311437789.2，技术领域涉及：H10B12/00；该发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备是由朱正勇;康卜文;赵超设计研发完成，并于2023-10-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体器件及其制造方法、电子设备在说明书摘要公布了：一种半导体器件及其制造方法、电子设备，所述半导体器件包括多层沿垂直于衬底的方向堆叠的存储单元，第一字线，每层所述存储单元包括：第一晶体管、第二晶体管；第一晶体管包括第一半导体子层；相邻的第一半导体子层之间设置有第二半导体子层形成第一半导体层，第一半导体层和控制电极设置在第一孔内，第一字线设置在所述第二孔内且贯穿所述不同层沿着垂直衬底方向延伸，所述第一字线与所述第一半导体子层沿平行于所述衬底方向的距离小于所述第一字线与所述第二半导体子层沿平行于衬底方向的距离。本实施例提供的方案，可以实现通过控制电极控制寄生半导体层，从而避免寄生晶体管漏电，且无需刻蚀寄生沟道，避免影响器件的有效沟道。

本发明授权一种半导体器件及其制造方法、电子设备在权利要求书中公布了：1.一种半导体器件，其特征在于，包括多层沿垂直于衬底的方向堆叠的存储单元，第一字线，其中， 每层所述存储单元包括：第一晶体管、第二晶体管；所述第二晶体管和所述第一晶体管沿平行于所述衬底的第一方向依次分布； 所述第一晶体管包括第一半导体子层、第一电极、第二电极；所述第一半导体子层分别与所述第一电极和所述第二电极连接； 所述第二晶体管包括第三栅电极，所述第三栅电极连接所述第一电极； 相邻的第一半导体子层之间设置有第二半导体子层，所述第一半导体子层和第二半导体子层连接形成一体式结构称为第一半导体层，所述第一半导体层沿垂直于所述衬底方向延伸； 贯穿不同层的第一孔和第二孔，所述第二孔和所述第一孔相连通，所述第一孔内设置有沿着垂直所述衬底方向延伸且贯穿不同层的所述第一半导体层和控制电极，其中，所述第一半导体层环绕所述控制电极的侧壁； 所述第一字线设置在所述第二孔内且贯穿所述不同层沿着垂直所述衬底方向延伸，所述第一字线与所述第一半导体子层沿平行于所述衬底方向的距离小于所述第一字线与所述第二半导体子层沿平行于所述衬底方向的距离。

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