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龙图腾网获悉广东工业大学申请的专利基于飞秒激光脉冲调控的磁斯格明子形成方法及写入装置获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119920271B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411977641.2，技术领域涉及：G11B7/127；该发明授权基于飞秒激光脉冲调控的磁斯格明子形成方法及写入装置是由吴竞;张家铭;王君林;徐永兵;董国栋;李冠祺;陈振东;黎子海设计研发完成，并于2024-12-31向国家知识产权局提交的专利申请。

本基于飞秒激光脉冲调控的磁斯格明子形成方法及写入装置在说明书摘要公布了：本申请公开了基于飞秒激光脉冲调控的磁斯格明子形成方法及写入装置，方法包括：获取CoFeB纳米圆盘并放置于磁光克尔效应显微镜的样品放置区；通过调节飞秒激光热脉冲对CoFeB纳米圆盘进行脉冲激发，控制CoFeB纳米圆盘在预设区域内的斯格明子的产生与湮灭，并获取斯格明子的数量和位置；根据斯格明子的产生与湮灭以及斯格明子的数量和位置，进行数据的写入与读取。装置包括：飞秒激光脉冲器、CoFeB纳米圆盘与温度传感器。本申请实施例能够降低能量消耗，避免了外部噪声的干扰，进而提高对斯格明子数量和位置的精确控制能力。本申请可以广泛应用于自旋电子学技术领域。

本发明授权基于飞秒激光脉冲调控的磁斯格明子形成方法及写入装置在权利要求书中公布了：1.基于飞秒激光脉冲调控的磁斯格明子形成方法，其特征在于，所述方法包括以下步骤： 获取CoFeB纳米圆盘并放置于磁光克尔效应显微镜的样品放置区；所述CoFeB纳米圆盘包括顶部层、自由层与隧道势垒层，所述自由层的上表面覆盖有所述顶部层，所述自由层的下表面覆盖有所述隧道势垒层;所述自由层采用CoFeB，所述自由层的磁性特性通过外界刺激调节； 通过调节飞秒激光热脉冲对所述CoFeB纳米圆盘进行脉冲激发，控制所述CoFeB纳米圆盘在预设区域内的斯格明子的产生与湮灭，并获取斯格明子的数量和位置； 根据所述斯格明子的产生与湮灭以及所述斯格明子的数量和位置，进行数据的写入与读取； 其中，所述通过调节飞秒激光热脉冲对所述CoFeB纳米圆盘进行脉冲激发，控制所述CoFeB纳米圆盘在预设区域内的斯格明子的产生与湮灭，并获取斯格明子的数量和位置，包括： 根据预设的热激励条件，调节所述飞秒激光热脉冲；所述预设的热激励条件包括脉冲温度范围、脉冲持续时间与脉冲次数；所述脉冲温度范围为300k至2000k； 根据调节后的飞秒激光热脉冲对所述CoFeB纳米圆盘的预设区域进行脉冲激发，控制所述CoFeB纳米圆盘在预设区域内的斯格明子的产生与湮灭； 根据所述斯格明子的产生与湮灭，确定斯格明子的数量和位置。

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