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龙图腾网获悉晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司申请的专利掩模板的图案修正方法及其系统和介质获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119882340B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510379065.X，技术领域涉及：G03F1/36；该发明授权掩模板的图案修正方法及其系统和介质是由洪银;罗招龙;王康;李可玉设计研发完成，并于2025-03-28向国家知识产权局提交的专利申请。

本掩模板的图案修正方法及其系统和介质在说明书摘要公布了：本公开提供了掩模板图案修正方法，涉半导体制造领域，包括获取正方形的目标图案，沿第一方向相邻目标图案的光刻图案之间被限制距离限制，沿第二方向相邻光刻图案之间距离未受到限制距离限制，在第一、二方向上模拟轮廓与目标图案边界间距超出预设距离阈值；根据该间隔距离沿第二方向拓宽或缩窄目标图案获得参考图案；分别分割参考图案沿第二方向相对的两条边获得多段子边；对参考图案进行光学临近修正，更新光刻图案和图案模拟轮廓，多段子边、参考图案未被分割的边均为可移动边；判断更新后的图案模拟轮廓到目标图案边界的间隔距离是否小于预设距离阈值，若是，输出更新后的光刻图案。该方法使得更新后的光刻图案的模拟轮廓能够收敛于目标图案。

本发明授权掩模板的图案修正方法及其系统和介质在权利要求书中公布了：1.一种掩模板的图案修正方法，其特征在于，包括： 获取目标图案，所述目标图案为正方形，沿第一方向，相邻所述目标图案的光刻图案之间受到限制距离限制，在该方向上的图案模拟轮廓与所述目标图案的边界的间距超出预设距离阈值；沿第二方向，相邻所述目标图案的光刻图案未受到限制距离限制，在该方向上的所述图案模拟轮廓与所述目标图案的边界的间距超出预设距离阈值，所述第一方向与所述第二方向垂直； 根据所述图案模拟轮廓与所述目标图案的边界的间隔距离沿所述第二方向缩窄所述目标图案，以获得长方形的参考图案，所述参考图案包括第一边、第二边、第三边和第四边，沿所述第二方向，所述第一边与所述第二边相对，沿所述第一方向，所述第三边与所述第四边相对； 将所述第一边与所述第二边分割为多段子边，并在所述参考图案上设置4个参考评价点，包括在被分割的所述第一边和所述第二边的中点上设置单一参考评价点，在所述第三边和所述第四边的中点上设置单一参考评价点； 对所述参考图案进行光学临近修正，以更新所述光刻图案和所述图案模拟轮廓，沿所述第一方向，相邻更新后的所述光刻图案之间受到限制距离限制； 沿所述第一方向与所述第二方向，分别判断更新后的所述图案模拟轮廓到所述目标图案边界的所述间隔距离是否小于预设距离阈值，若判断结果为是，输出更新后的所述光刻图案；以及 若判断结果为否，返回获得所述参考图案的步骤， 其中，在对所述参考图案进行光学临近修正的步骤中，所述多段子边、所述第三边和所述第四边均为可移动边， 所述掩模板用于形成半导体器件的孔洞层。

如需购买、转让、实施、许可或投资类似专利技术，可联系本专利的申请人或专利权人晶芯成(北京)科技有限公司;合肥晶合集成电路股份有限公司，其通讯地址为：100176 北京市大兴区北京经济技术开发区科创十三街29号院一区2号楼13层1302-C54；或者联系龙图腾网官方客服，联系龙图腾网可拨打电话0551-65771310或微信搜索“龙图腾网”。

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