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龙图腾网获悉北京海瑞克科技发展有限公司申请的专利一种半导体功率器件静态测试漏电流抑制方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119881386B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202510054973.1，技术领域涉及：G01R1/04；该发明授权一种半导体功率器件静态测试漏电流抑制方法是由梁光胜;于跃;宁军伟;陈冕设计研发完成，并于2025-01-14向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种半导体功率器件静态测试漏电流抑制方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种半导体功率器件静态测试漏电流抑制方法，包括以下操作步骤：配合三同轴接口进行PCB设计，在PCB设计阶段，采用Guard线技术进行优化设计，Guard线把高压线即Hi线和SENSEHi线全部围起来，同时避免与低压线即Lo线和SENSELo线接触，实现对输入信号线的等电位环绕保护，同时实现抑制连接线、测试夹具和辅助设备的漏电流；仪表通过双端三同轴接口和PCB相连，将仪表的三同轴接口与PCB板上的三同轴接口相连接。本发明所述的一种半导体功率器件静态测试漏电流抑制方法，利用三同轴接口的Guard线，实现对连接线、测试夹具和辅助设备上漏电流的抑制，有效提高功率器件静态测试中漏电流测试的精确度，增强了系统的可靠性。

本发明授权一种半导体功率器件静态测试漏电流抑制方法在权利要求书中公布了：1.一种半导体功率器件静态测试漏电流抑制方法，其特征在于：包括以下操作步骤： S1：配合三同轴接口进行PCB设计，在PCB设计阶段，采用Guard线技术进行优化设计，Guard线把高压线即Hi线和SENSEHi线全部围起来，同时避免与低压线即Lo线和SENSELo线接触，实现对输入信号线的等电位环绕保护，同时实现抑制连接线、测试夹具和辅助设备的漏电流； S2：仪表通过双端三同轴接口和PCB相连，将仪表的三同轴接口与PCB板上的三同轴接口相连接，避免接触不良引入额外的噪声或误差； S3：将待测的MOS管插入插座，将待测半导体功率器件MOS管插入PCB板上的专用测试插座中，确保MOS管与测试系统的电气连接正确无误，为接下来的漏电流测试做好准备； S4：开始漏电流静态测试，漏电流测试所需的实验环境已经搭建完成，开始MOS管的漏电流静态测试； S5：仪表的Hi端输出高电平、Lo端输出低电平是指仪表的Hi端口、Lo端口分别输出设置的高电平和低电平，电压从双端口三同轴连接线传送到PCB板的Hi端和Lo端，并通过专用测试插座加到被测半导体功率器件MOS管3的D端和S端； S6：仪表显示MOS管的漏电流，由于PCB板上Guard线的电平和Hi端一致，实现抑制被测功率器件之外的电路部分产生的漏电流，使仪表测量出的漏电流就是MOS管本身的漏电流； S7：漏电流静态测试结束，MOS管漏电流静态测试已完成，并通过该方法提升了漏电流测试的准确性。

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