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龙图腾网获悉赛莱克斯微系统科技(北京)有限公司申请的专利导电结构制备方法、导电结构及微机电系统获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119822321B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411943630.2，技术领域涉及：B81C1/00；该发明授权导电结构制备方法、导电结构及微机电系统是由周运成;肖婷;杨会平;王盛曦;陈晓斌;张强强设计研发完成，并于2024-12-27向国家知识产权局提交的专利申请。

本导电结构制备方法、导电结构及微机电系统在说明书摘要公布了：本申请提供了一种导电结构制备方法、导电结构及微机电系统，涉及半导体技术领域。以预配置的不同溅射功率，在非晶态黏附层的远离基底层的一侧依次溅射至少两层晶态金属层，使得与非晶态黏附层距离最近的晶态金属层的晶粒尺寸小于设定的第一尺寸阈值，与非晶态黏附层距离最远的晶态金属层的晶粒尺寸大于设定的第二尺寸阈值；在与非晶态黏附层距离最远的晶态金属层的远离基底层的一侧，形成阵列式的排布的金属导线，金属导线从靠近晶态金属层的一侧到远离晶态金属层的一侧的晶粒尺寸越来越大，且金属导线的靠近晶态金属层的一侧的晶粒尺寸等于与非晶态黏附层距离最远的晶态金属层的晶粒尺寸，使得金属导线不易与基底层发生脱落，可靠性高。

本发明授权导电结构制备方法、导电结构及微机电系统在权利要求书中公布了：1.一种导电结构制备方法，其特征在于，所述方法包括： 在基底层的一侧溅射非晶态黏附层； 以预配置的不同溅射功率，在所述非晶态黏附层的远离所述基底层的一侧依次溅射至少两层晶态金属层，使得与所述非晶态黏附层距离最近的晶态金属层的晶粒尺寸小于设定的第一尺寸阈值，与所述非晶态黏附层距离最远的晶态金属层的晶粒尺寸大于设定的第二尺寸阈值，且所述第二尺寸阈值大于所述第一尺寸阈值，其中，每个所述溅射功率用于溅射一层所述晶态金属层； 在与所述非晶态黏附层距离最远的晶态金属层的远离所述基底层的一侧，形成阵列式的排布的金属导线，其中，所述金属导线从靠近所述晶态金属层的一侧到远离所述晶态金属层的一侧的晶粒尺寸越来越大，且所述金属导线的靠近所述晶态金属层的一侧的晶粒尺寸等于与所述非晶态黏附层距离最远的晶态金属层的晶粒尺寸； 去除所述非晶态黏附层和所述至少两层晶态金属层的在所述基底层上的正投影与所述金属导线在所述基底层上的正投影不重叠的部分； 所述非晶态黏附层的溅射功率范围为500W~40kW，每次溅射所述晶态金属层的溅射功率的范围为100W~10kW；所述晶态金属层包括两层，所述非晶态黏附层的溅射功率为25kW，第一次溅射所述晶态金属层的功率为2KW，第二次溅射所述晶态金属层的功率为1KW；或者，所述非晶态黏附层的溅射功率为1kW，第一次溅射所述晶态金属层的功率为10KW，第二次溅射所述晶态金属层的功率为100W；或者，所述非晶态黏附层的溅射功率为40kW，第一次溅射所述晶态金属层的功率为100W，第二次溅射所述晶态金属层的功率为10KW；或者，所述非晶态黏附层的溅射功率为20kW，第一次溅射所述晶态金属层的功率为5KW，第二次溅射所述晶态金属层的功率为500W；所述设定的第二尺寸阈值的范围为25nm-50nm。

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