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龙图腾网获悉西安电子科技大学申请的专利一种低噪声碳化硅NPN光电晶体管及其制备方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119815946B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411916530.0，技术领域涉及：H10F30/24；该发明授权一种低噪声碳化硅NPN光电晶体管及其制备方法是由元磊;芦禹衡;刘洋;孙晨玥;贾仁需;张艺蒙;张玉明设计研发完成，并于2024-12-24向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种低噪声碳化硅NPN光电晶体管及其制备方法在说明书摘要公布了：本发明公开了一种低噪声碳化硅NPN光电晶体管，包括：沿第一方向设置的n型过渡层、n+埋层、n‑缓冲层、p型基区层、n型集电层和覆盖第一隔离沟槽的SiO2氧化层，第一隔离沟槽位于p型基区层沿与第一方向垂直的第二方向的两侧；具有高掺杂浓度的n+埋层在n型过渡层中沿第二方向间隔排列；具有低掺杂浓度的n‑缓冲层位于n型过渡层和n+埋层的上表面；p型基区层位于n‑缓冲层的上表面；n型集电层位于p型基区层中背离n‑缓冲层的一侧，沿第二方向，n型集电层的宽度小于p型基区层的宽度，并且，n型集电层不与位于第一隔离沟槽的SiO2氧化层接触。本发明能够大大减少侧壁的漏电流，提升噪声性能和光暗电流比。

本发明授权一种低噪声碳化硅NPN光电晶体管及其制备方法在权利要求书中公布了：1.一种低噪声碳化硅NPN光电晶体管，其特征在于，包括：沿第一方向设置的n型衬底1、n型发射层2、n型过渡层3、n+埋层4、n-缓冲层5、p型基区层6和n型集电层7，以及覆盖第一隔离沟槽的SiO2氧化层12，所述第一隔离沟槽位于所述p型基区层6沿与所述第一方向垂直的第二方向的两侧； 所述n+埋层4具有高掺杂浓度，并且，在所述n型过渡层3中沿所述第二方向间隔排列； 所述n-缓冲层5具有低掺杂浓度，并且位于所述n型过渡层3和所述n+埋层4的上表面； 所述p型基区层6位于所述n-缓冲层5的上表面；其中，所述第一隔离沟槽沿所述第一方向从所述p型基区层6的上表面向下延伸至所述n-缓冲层5的上表面； 所述n型集电层7位于所述p型基区层6中背离所述n-缓冲层5的一侧，沿所述第二方向，所述n型集电层7的宽度小于所述p型基区层6的宽度，并且，所述n型集电层7不与位于所述第一隔离沟槽的SiO2氧化层12接触； 其中，所述低噪声碳化硅NPN光电晶体管的制备方法包括： S1、准备所述n型衬底1，沿第一方向，在所述n型衬底1的上表面外延生长所述n型发射层2； S2、在所述n型发射层2的上表面外延生长所述n型过渡层3； S3、在所述n型过渡层3中形成具有高掺杂浓度、沿与所述第一方向垂直的第二方向间隔排列的所述n+埋层4； S4、在所述n型过渡层3的上表面外延生长具有低掺杂浓度的所述n-缓冲层5； S5、在所述n-缓冲层5的上表面外延生长所述p型基区层6； S6、沿所述第二方向，在所述p型基区层6两侧刻蚀所述第一隔离沟槽，其中，所述第一隔离沟槽沿所述第一方向从所述p型基区层6的上表面向下延伸至所述n-缓冲层5的上表面； S7、在所述p型基区层6的上表面通过离子注入形成所述n型集电层7，其中，沿所述第二方向，所述n型集电层7的宽度小于所述p型基区层6的宽度。

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