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龙图腾网获悉浙江大学申请的专利一种应用于ADC差分电容阵列的互校准方法获国家发明授权专利权，本发明授权专利权由国家知识产权局授予，授权公告号为：CN119788071B 。

龙图腾网通过国家知识产权局官网在2025-12-16发布的发明授权授权公告中获悉：该发明授权的专利申请号/专利号为：202411567182.0，技术领域涉及：H03M1/10；该发明授权一种应用于ADC差分电容阵列的互校准方法是由黄凯;许伟;郑丹丹;蒋小文;熊东亮设计研发完成，并于2024-11-05向国家知识产权局提交的专利申请。

本一种应用于ADC差分电容阵列的互校准方法在说明书摘要公布了：本发明属于集成电路设计技术领域，公开了一种应用于ADC差分电容阵列的互校准方法，所述方法包括如下步骤：步骤1：CDAC电容阵列中每位电容误差电压的提取和量化；步骤2：在ADC的输出码值中加上相应的误差码值。采用本发明提出的校准方法去除了传统模拟校准方法中额外的校准CDAC，显著的减少了电容面积，并将误差码值和ADC正常量化的码值相结合得到最终的输出码值，该运算过程不仅可以在片上运行也可以放在片外的软件上运算，减少了电路设计的复杂性同时也能显著减小电容阵列失配引起ADC转换精度损失。

本发明授权一种应用于ADC差分电容阵列的互校准方法在权利要求书中公布了：1.一种应用于ADC差分电容阵列的互校准方法，所述ADC差分电容阵列包括2个电容Cu，一个电容Cu两端并联电容C1，P~C13，P，另一个电容Cu两端并联电容C1，N~C13，N，两个电容Cu之间通过开关S5和S6连接电容Cal，电容C8，P~C13，P一端通过开关S1连接比较器正端，另一端通过开关分别可与Vip、Vrefp、Vrefn、Vcm端连接，电容C1，P~C7，P一端连接Cu，另一端通过开关分别可与Vip、Vrefp、Vrefn、Vcm端连接；电容C8，N-C13，N一端通过开关S2连接比较器负端，另一端通过开关分别可与Vin、Vrefp、Vrefn、Vcm端连接,电容C1，N-C7，N一端连接到Cu，另一端通过开关分别可与Vin、Vrefp、Vrefn、Vcm端连接；比较器正端和负端分别通过开关S3、S4连接到Vcm；其特征在于，所述方法包括如下步骤： 步骤1：CDAC电容阵列中每位电容误差电压的提取和量化；上电后先进行CDAC的校准过程，然后再进行ADC的正常量化过程； 步骤1.1：首先校准比较器正端电容阵列的最高位电容C13,P：开关S1、S3、S4、S5、S6闭合，S2断开，此时比较器负端接入Vcm而比较器正端接入电容阵列，同时比较器负端电容阵列C1,N~C13,N的下极板都接入Vcm，比较器正端电容阵列中最高位电容C13,P的下极板接入Vrefn，而其他位电容C1,P~C12,P的下极板接入Vrefp； 步骤1.2：开关S3断开，S1、S2、S4、S5、S6等开关的状态保持不变，同时比较器正端电容阵列中最高位电容C13,P的下极板接入Vrefp,而其他位电容C1,P~C12,P的下极板接入Vrefn；该过程完成了比较器正端最高位电容C13,P的误差电压提取； 步骤1.3：通过切换比较器负端电容C1,N~C13,N的下极板开关完成对误差电压的量化，并将量化得到的码值存储在RAM中，完成比较器正端最高位电容C13,P的误差电压量化后，将电容C13,P的下极板接入Vrefn并在后续过程中保持不变； 步骤1.4：按照步骤1.1-1.3同样的方式完成其他位电容C1,P~C12,P的误差电压量化并存入RAM中； 步骤1.5：比较器正端电容完成量化后按照步骤1.1-1.4同样的方式完成负端电容的量化过程； 步骤2：在ADC的输出码值中加上相应的误差码值； 校准过程完成后开始进行ADC的正常转换过程得到输出码之后，如果该位电容的码值为1则加上该位的误差码值，为0则不加该位电容的误差码值，将添加了误差码值的ADC输出码值作为最终转换输出码值。

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